P型標(biāo)準(zhǔn)同軸高純鍺探測(cè)器

描述 
普通的同軸鍺探測(cè)器經(jīng)常稱為純鍺、HPGe、本征鍺、高
純鍺探測(cè)器。不管應(yīng)用得有多好，探測(cè)器基本是一個(gè)鍺圓柱體，外表面上有一個(gè) n 型觸點(diǎn)，一個(gè) p 型觸點(diǎn)在同軸的井表面上。鍺具有 1010 原子/cc水平的純度，因而只有中等程度逆偏移，電極之間整個(gè)體積是耗盡的，電場(chǎng)延伸到整個(gè)活性區(qū)。光子在這一區(qū)域中的交互作用產(chǎn)生電荷，這些電荷被電場(chǎng)掃到它們的收集電極，此處一個(gè)電荷靈敏前置放大器把這一電荷量轉(zhuǎn)換成與釋放在探測(cè)器中的能量成正比的電壓脈沖。
n 和p 觸點(diǎn)或電極一般分別是擴(kuò)散的鋰和植入硼。外部的
n型擴(kuò)散的鋰觸點(diǎn)大約0.5 mm厚。內(nèi)部的觸點(diǎn)大約0.3 µm厚。表面位壘可以代替植入的硼，產(chǎn)生相同的結(jié)果。

標(biāo)準(zhǔn)極性同軸Ge探測(cè)器（SEGe）
Canberra 的同軸鍺探測(cè)器可以在常溫條件下運(yùn)輸和
儲(chǔ)存，而不必冷卻。但是，使探測(cè)器保持冷卻，能
夠保持長(zhǎng)期穩(wěn)定性。象所有鍺探測(cè)器一樣，
它在使用時(shí)必須冷卻以免過熱產(chǎn)生漏電流。這種探
測(cè)器的非易耗特性拓寬了 Ge 譜儀的應(yīng)用范圍，包
括在現(xiàn)場(chǎng)作為手提譜儀使用。
同軸鍺探測(cè)器有用的能量范圍是 40keV 到 10MeV
以上。分辨率和峰形是很好的，可提供各種不同的
效率。下表中給出可提供的型號(hào)。
一般規(guī)格和信息
標(biāo)準(zhǔn)的配置包括：

• 垂直細(xì)冷指低溫恒溫器，帶 30 立升杜瓦

• Model 2002C 前置放大器，3 米偏移、高壓禁止、信號(hào)和電源電纜

從選購件報(bào)價(jià)清單中挑選低溫恒溫器選購件。 122 keV 的分辨率是典型值，不是規(guī)定指標(biāo)。

注：需要 100％以上相對(duì)效率的探測(cè)器，請(qǐng)咨詢工廠。