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超聲波噴涂設(shè)備如何在半導(dǎo)體光刻膠上進(jìn)行涂覆

閱讀:935      發(fā)布時間:2021-7-8
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介紹:

            在傳統(tǒng)的高速旋涂無法提供均勻覆蓋深孔形貌或高縱橫比的應(yīng)用中,超聲波半導(dǎo)體光刻膠噴涂系統(tǒng)用均勻的光刻膠薄膜涂覆半導(dǎo)體成為了完整解決方案。與傳統(tǒng)的旋涂相比,采用超聲波噴涂的光致抗蝕劑涂層在沉積更均勻的涂層方面具有優(yōu)勢,特別是在高深寬比溝槽和v形槽結(jié)構(gòu)中沿側(cè)壁頂部沉積時,離心旋涂無法沉積均勻的涂層沿著側(cè)壁形成膜,而沒有過多的光致抗蝕劑沉積在腔體的底部。事實(shí)證明,使用超聲技術(shù)進(jìn)行直接噴涂是將光刻膠沉積到3D微結(jié)構(gòu)上的可靠且有效的方法,從而減少了因金屬過度暴露于抗蝕劑涂層而導(dǎo)致的設(shè)備故障。

 

    

組成:

    整機(jī)由超聲波霧化噴嘴,專用驅(qū)動電源,XYZ三軸聯(lián)動伺服系統(tǒng),智能化操作系統(tǒng),液體供給系統(tǒng),低速空氣裝置,外殼箱體等組成。

 

優(yōu)勢:

  • 各種表面輪廓的高均勻薄膜覆蓋率。
  • 能夠以高均勻度涂覆高深寬比的溝槽。
  • 無堵塞的霧化噴涂。
  • 能夠以高均勻度沉積薄的單微米層。
  • 經(jīng)過驗(yàn)證的可重復(fù)噴涂工藝。

應(yīng)用:

           于具有不同形貌的MEMS晶片和其他基板。

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