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技術(shù)文章

RTS-3型四探針測試儀(手持式)應(yīng)用

閱讀:258          發(fā)布時間:2025-1-3

RTS-3型四探針測試儀(手持式)應(yīng)用

測量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的手持式設(shè)計;    

體積僅為:185mm(長)*90mm(寬)*30mm(高); 重量:350g;    

使用鋰電池供電,一次充電可連續(xù)使用100小時;    

 

    RTS-3型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設(shè)計的,專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
    儀器采用了最新電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。如有需要可加配測試臺使用。
    本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。    

技 術(shù) 指 標 :    

 測量范圍

    電阻率:0.01~1999.9Ω.cm;  
 方塊電阻:0.1~19999Ω/□;

恒流源

    電流量程分為100μA、1mA兩檔,兩檔電流連續(xù)可調(diào)    

數(shù)字電壓表

    量程及表示形式:000.00~199.99mV; 分辨力:10μV;  
 輸入阻抗:>1000MΩ; 精度:±0.1%;  
 顯示:以大屏幕LCD顯示讀數(shù),直觀清晰;極性、超量程自動顯示;    

四探針探頭基本指標

    間距:1±0.01mm;  針間絕緣電阻:≥1000MΩ; 機械游移率:≤0.3%;
 探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm; 探針壓力:5~16 牛頓(總力);    

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)

    (見探頭附帶的合格證)    

模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進行)

    1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字    

整機測量最大相對誤差

   (用硅標樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5%    

整機測量標準不確定度

    ≤5%    

外型尺寸

    185mm(長)*90mm(寬)*30mm(高)    

重量

    350g    

電源

    鋰電池,一次充電可連續(xù)使用100小時;    

標準使用環(huán)境

    溫度:23±2℃; 相對濕度:≤65%; 無高頻干擾; 無強光直射;    


   



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