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傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來(lái)測(cè)量溫度及與溫度有關(guān)的參數(shù)。在溫度檢測(cè)精度要求比較高的場(chǎng)合，這種傳感器比較適用。主要經(jīng)營(yíng)：傳感器，變頻器，電磁閥，斷路器，PLC，接近開(kāi)關(guān)，繼電器等元件.隨時(shí)歡迎您的來(lái)電垂詢。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
電流傳感器
傳感器輸出的是電壓信號(hào)，并在MEMS器件中進(jìn)行實(shí)際應(yīng)用，隨著薄膜制備技術(shù)的提高，開(kāi)始涌現(xiàn)出多種制備手段，并且也利用多種技術(shù)制備了PZT壓電薄膜，如磁控濺射技術(shù)、脈沖激光沉積技術(shù)（PLD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和金屬化合物氣相沉積技術(shù)等。PZT壓電薄膜與非鐵電的ZnO材料相比較，最重要的優(yōu)點(diǎn)就是PZT材料具有鐵電性，在一定的外加電場(chǎng)和溫度條件下，PZT材料內(nèi)部電疇發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)，自發(fā)極化方向重新確定，這樣使得在多晶材料中原本隨機(jī)排列的極化軸通過(guò)電場(chǎng)的作用取向排列而產(chǎn)生了凈壓電響應(yīng)。所以PZT材料的壓電性能要高于ZnO材料，是ZnO的兩倍以上。傳感器作用在其兩端面會(huì)出現(xiàn)電荷的一大類(lèi)單晶或多晶的固體材料，原子或原子團(tuán)經(jīng)過(guò)或?yàn)R射的方法沉積在襯底上而形成的，其結(jié)構(gòu)可以是費(fèi)靜態(tài)、多晶甚至是單晶。壓電薄膜制備的器件不需要使用價(jià)格昂貴的壓電單晶，只要在襯底上沉積一層很薄的壓電材料，因而具有經(jīng)濟(jì)和省料的特點(diǎn)。而且制備薄膜過(guò)程中按照一定取向來(lái)沉積薄膜，不需要進(jìn)行極化定向和切割等工藝。另外，利用壓電薄膜制備的器件應(yīng)用范圍廣泛、制作簡(jiǎn)單、成本低廉，同時(shí)其能量轉(zhuǎn)換效率高，還能與半導(dǎo)體工藝集成，符合壓電器件微型化和集成化的趨勢(shì)。這種由“壓力”產(chǎn)生“電”的現(xiàn)象稱為正壓電效應(yīng)。反之，如果將具有壓電效應(yīng)的介電體置于外電場(chǎng)中，電場(chǎng)使介質(zhì)內(nèi)部正負(fù)電荷位移，導(dǎo)致介質(zhì)產(chǎn)生形變。
電流傳感器
HAC800-S
LV100-1200/SP8
LA100-P/SP50
HO10-P/SP50
LT308-S7/SP1
HAT1200-S
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LF205-S/SP3
HLSR20-P
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HAL200-S
8-4 FQ-SS
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SMT 1X0.095-304-CD
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E4-4FN-3
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71-3C16-16F
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381-12
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VAIEX 1/2
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BNKAD6JNC2-496593C2
2F-MB4LPFA-SSP
BH4-60
CV-1-1166
FLC8
4MSEL2N-316
1NU1-316
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SU12-8GN-1
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PM010-10AP-DO
