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據(jù)存儲器，外部串行存儲器件是選擇。大多數(shù)情況下，這個額外的外部數(shù)據(jù)存儲器是非易失性的。

根據(jù)不同的設(shè)計，引導(dǎo)存儲器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器沒有內(nèi)部存儲器，并行的非易失性存儲器件對大多數(shù)應(yīng)用系統(tǒng)而言是正確的選擇。但對一些高速應(yīng)用，可以使用外部的非易失性串行存儲器件來引導(dǎo)微控制器，并允許主代碼存儲在內(nèi)部或外部高速SRAM中。

8．EEPROM與閃存

存儲器技術(shù)的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲器(如EEPROM和閃存)組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，并像ROM一樣在斷電時保持?jǐn)?shù)據(jù)，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優(yōu)缺點。

從軟件角度看，獨立的EEPROM和閃存器件是類似的，兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節(jié)地修改，而閃存器件只支持扇區(qū)擦除以及對被擦除單元的字、頁或扇區(qū)進行編程。對閃存的重新編程還需要使用SRAM，因此它要求更長的時間內(nèi)有更多的器件在工作，從而需要消耗更多的電池能量。設(shè)計工程師也必須確認(rèn)在修改數(shù)據(jù)時有足夠容量的SRAM可用。

存儲器密度是決定選擇串行EEPROM或者閃存的另一個因素。市場上可用的獨立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，獨立閃存器件的容量在32KB或以上。

如果把多個器件級聯(lián)在一起，可以用串行EEPROM實現(xiàn)高于128KB的容量。很高的擦

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