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鍺探測器是具有p-i-n結構的半導體二極管,其本征(I)區(qū)域對電離輻射特別是x射線和γ射線是敏感的。
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更新時間:2019-04-10 16:51:41瀏覽次數(shù):441
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鍺探測器是具有p-i-n結構的半導體二極管,其本征(I)區(qū)域對電離輻射特別是x射線和γ射線是敏感的。在反向偏壓下,電場延伸到本征區(qū)或耗盡區(qū)。當光子與探測器耗盡體積內(nèi)的物質(zhì)相互作用時,電荷載流子(空穴和電子)就會產(chǎn)生,并被電場掃到p和n電極上。該電荷與入射光子在探測器中沉積的能量成正比,由積分電荷靈敏前置放大器轉換成電壓脈沖。
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