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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
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室溫Si（Li）探測(cè)器 描述 大范圍的探測(cè)器尺寸:活動(dòng)面積從200毫米到1600毫米2厚度分別為2mm和5mm 其他維度可根據(jù)要求提供 黃金入口窗口0.2μm等效硅 鋰背接觸300μm（50μm用于傳輸選項(xiàng)） 圓形或矩形鍍金黃銅座 微點(diǎn)母連接器
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
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為高穿透性帶電粒子設(shè)計(jì)的 比普通硅探測(cè)器更好的停止功率:高達(dá)3 MeV Betas,30 MeV質(zhì)子,140 MeV Alpas 如果探測(cè)器被堆放的話 用于de/dx測(cè)量或堆棧安排的薄后接觸(傳輸選項(xiàng)) 室溫或LN設(shè)計(jì)2冷卻應(yīng)用
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