半導(dǎo)體生產(chǎn)中,顯微成像是晶圓缺陷檢測和尺寸量測的核心環(huán)節(jié),套刻(Overlay)、關(guān)鍵尺寸(CD)和幾何偏差的量測決定了晶圓的最終良率。每片晶圓包含數(shù)百到上千個芯片,隨著制程節(jié)點逼近7nm及以下,任何成像誤差都可能在納米尺度被放大,導(dǎo)致整片晶圓或批次報廢。
短曝光、噪聲干擾下,亞微米缺陷及邊緣信息容易被掩蓋
晶圓臺高速掃描,相機必須毫秒級對時以避免同步誤差與拖影
光場不均、色彩漂移,將可能導(dǎo)致亞像素定位精度的下降

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