英國Leysop細胞調Q開關系統(tǒng)BBO Pockels

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由于需要比我們的EM510C型號更小的組件，我們開發(fā)了這款的EM508UC型號，可以在直徑僅為19mm的封裝中提供8mm的完整孔徑，同時還封裝了工廠預對準的薄膜Brewster平板偏振器和四分之一波長延遲極板使其非常適合脈沖四分之一波Q開關。

技術上講，我們應當討論b -BBO從區(qū)分一個 -BBO形式雖然化學上相同的具有對稱在其晶體結構的中心，剝奪的任何電光效應它（但它仍然是一種的偏振片）！為了簡潔起見，我們從現在開始僅指BBO。

當然，有許多材料確實具有電光效應，并且為給定應用選擇材料并不總是那么容易。這將取決于許多因素，但是當高功率處理很重要時，BBO通常提供迄今為止的解決方案。它具有良好的光學透明性，從200nm到2µm以上，對于腔內激光操作非常重要，在1064nm的1ns脈沖下，功率處理> 3GW / cm 2時具有很高的抗光損傷能力。平均功率處理也遠高于其他材料，并且可以在數百瓦的平均功率水平和幾kW / cm 2的功率密度下使用BBO Pockels電池

除了出色的功率處理能力外，BBO Q開關還具有非常低的壓電諧振水平。對于Q開關，高達50甚至100kHz的激光是可行的，對于電激發(fā)脈沖非常短的脈沖拾取應用，該極限已證明大于4MHz（驅動器受限）

與RTP的比較非常明顯，因為它們都非常適合高重復率的應用程序。BBO的優(yōu)點是光傳播沿著材料的光軸（Z方向），因此沒有靜態(tài)雙折射，并且熱穩(wěn)定性。這與高晶體均質性一起提供了高消光比，對于單晶器件，消光比通常約為1,000：1甚至更高。在RTP中，光傳播軸沿X軸或Y軸，這兩個軸均顯示雙折射，因此需要某種形式的雙折射補償。因此，在RTP普克爾斯盒中很難獲得如此高的對比度。

那么肯定有理由為什么BBO并不是幾乎所有應用都的EO材料嗎？有，就是工作電壓。BBO的電光系數非常低，因此對于給定的晶體尺寸，半波電壓將遠高于幾乎任何可比的普克爾斯盒。例如，橫截面為3x3mm，長為20mm的晶體在1064nm處的有效半波電壓約為7kV。即使它是一個橫向場器件，也可以通過使晶體變長和變薄而變得更加敏感，但是與孔徑相關的單個晶體的長度仍然存在實際限制。對于多4x4mm橫截面的晶體，Z方向的大實際長度為25mm。對于孔徑大于4mm但大為8或9mm的晶體，大可用長度為20mm，對于較大的光圈，其長度必須下降得更多。那么通常的情況是，將電壓降低到可接受水平的實用方法（尤其是對于較大孔徑的晶體）是串聯(lián)使用兩個晶體。這與RTP單元不同，不會發(fā)生雙折射補償，而只是將可用電壓施加到兩個串聯(lián)的晶體上，從而使產生的效果加倍。

盡管我們會制造幾乎任何實用的BBO Pockels電池來滿足您的要求，但是我們嘗試使用許多標準尺寸和晶體組合。通常，器件安裝在直徑為35mm的封裝中，其長度取決于所用BBO晶體的總長度。出于安全（在開放式工作臺上使用）或出于驅動方案的原因（例如，直通驅動器）的原因，需要帶有同軸連接器的包裝是一個例外。在這種情況下，我們將使用EM500系列軟件包。無論使用哪種包裝形式，都必須用光學窗口密封，因為BBO具有中等吸濕性，并且不能承受高濕度下的操作，并且不會隨著光學面的使用時間而降低。

我們的大多數橫向場Pockels電池都將標準設備為零件號，該零件號定義了材料，孔徑，晶體長度和任何增透膜規(guī)格。那么，長度為25mm的4mm孔徑晶體，帶有1064nm的增透膜，將成為BBO-4-25-AR1064型。晶體長度大于??20或25mm（取決于孔徑）的單元將是雙晶體單元，例如BBO-5-40-AR800。

與半波電壓取決于長度與寬度之比（電極之間）的橫向模式Pockels電池不同，縱向場電池的半波電壓對于給定的波長是固定的，并且僅隨電池幾何形狀微弱變化。對于大多數應用，這將導致非常高的電壓工作（例如，對于1064nm，> 6kV）。一種解決方案顯然是使用橫向模式設備，這對于某些應用是合適的。但是，在許多情況下，只有縱向場設備才能提供正確的光學性能（尤其是在需要更高消光比的情況下）。然后解決方案是合并兩個普克爾單元，當從一個公共電壓源驅動時，每個普克爾單元提供總旋轉的一半。這種方法的邏輯結論是將兩種晶體組合在一個封裝中。這樣可以減少損耗，減小整體尺寸，減少組件數量，減少對準和設置時間（然后成為制造商的工作?。＝Y果是一種復合設備，其所需的驅動電壓減半，但消耗的負載電容約為負載電容的兩倍。

與我們所有其他的縱向普克爾盒一樣，它們可以提供一個，兩個或四個終端配置（如上圖所示），并可以提供折射率匹配的液體填充晶體和窗口之間的空間?；蚋稍?，晶體上有或沒有防反射涂層。如果需要控制傾斜和傾斜晶體的角度（可能會產生少量電荷），以控制由多次反射引起的干涉效果，則可以傾斜窗口和/或傾斜晶體。

EM510C

EM508M

8mm Aperture

EM510M

10mm Aperture

EM512M

12mm Aperture

EM520M

20mm Aperture

我們可以生產兩個大孔徑為20mm的普克爾晶體，盡管見的孔徑是8mm，10mm和12mm?，F在，我們甚至在緊湊的Pockels晶胞范圍內制造了兩個晶體器件（請參閱此處）。我們還生產單晶和雙晶版本的超快普克爾盒（UPC）

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