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RTS-8四探針測試儀技術(shù)參數(shù)天津諾雷信達(dá)

閱讀:2260          發(fā)布時間:2020-2-5

RTS-8四探針測試儀參數(shù):

測量范圍

電阻率:10-5~105Ω.cm;

方塊電阻:10-4~106Ω/□;

電阻:10-5~105Ω;

電導(dǎo)率:10-5~105s/cm;

可測晶片直徑:140mmX150mm (配S-2A型測試臺);

               200mmX200mm (配S-2B型測試臺);

400mmX500mm (配S-2C型測試臺);

恒流源

電流量程分為 1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 六檔,各檔電流連續(xù)可調(diào);

數(shù)字電壓表

量程及表示形式:000.00~199.99mV;     

分辨力:10μV;

輸入阻抗:>1000MΩ;   

精度:±0.1%;

顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動顯示;  

四探針探頭基本指標(biāo)

間距:1±0.01mm;

針間絕緣電阻: ≥1000MΩ;

機(jī)械游移率: ≤0.3%;

探針:碳化鎢或高速鋼材質(zhì),探針直徑Ф0.5mm;

探針壓力:5~16 牛頓(總力);

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)

見探頭附帶的合格證,合格證含三參數(shù)項:

C:探針系數(shù); F:探針間距修正因子; S:探針平均間距;

模擬電阻測量相對誤差(按 JJG508-87 進(jìn)行)

0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字;

整機(jī)測量大相對誤差

(用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm 測試)≤±5%;

整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度

≤5%;

外型尺寸(大約)

電氣主機(jī): 460mm×320mm×100mm;

S-2A型測試臺: 190mm×140mm×260mm;

S-2B型測試臺: 300mm×210mm×400mm;

S-2C型測試臺: 500mm×400mm×350mm;

儀器重量(大約)

電氣主機(jī): 3.5kg;

S-2A型測試臺: 2kg;

S-2B型測試臺: 2.5kg;

S-2C型測試臺: 4kg;

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境

溫度::23±2℃;

相對濕度:≤65%;

無高頻干擾;

無強(qiáng)光直射;

*.注意:使用1μA量程時,允許有小于1.0nA的空載電流.在相對濕度小于50%時使用。

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