高溫高濕PID測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

本公司研發(fā)光伏組件測(cè)試系統(tǒng) PID（ZWPID08）根據(jù) IEC 82/685/NP：System voltage durability test for crystalline silicon modules，基本要求是準(zhǔn)備 3 塊組件。其中一塊作為控制組件，組件置于一定 溫度和濕度的環(huán)境中，將組件的內(nèi)部導(dǎo)電體與高壓電源的一個(gè)極連在一起，組件外導(dǎo)電體與高壓電源的另 一極連在一起。一塊組件在正偏壓下進(jìn)行老化，一塊組件在負(fù)偏壓下老化

測(cè)試條件如下：

環(huán)境溫度：60℃±2℃；

環(huán)境濕度：85%±5% RH；

測(cè)試時(shí)間：96 小時(shí)；

測(cè)試電壓：在組件需滿足的正系統(tǒng)電壓下或負(fù)系統(tǒng)電壓下。

技術(shù)參數(shù) ：

1 高壓電源（正向）

電壓：

? 測(cè)試范圍：0-1500V；

? 測(cè)試精度：0.5%FS

? 分辨率：1V

電流：

? 測(cè)試范圍：0-1000uA；

? 測(cè)試精度：0.5%FS

2 高壓電源（負(fù)向）

電壓：

? 測(cè)試范圍：0--1500V；

? 測(cè)試精度：0.5%FS

? 分辨率：1V 電流：

? 測(cè)試范圍：0-1000uA；

? 測(cè)試精度：0.5%FS

? 分辨率： 1uA

? 分辨率： 1uA