LTS-I 系列紅外干涉測厚傳感器是專為半導體、先進封裝及化合物半導體等高精度制造領域打造的專業(yè)測厚設備,通過 “高精度探頭 + 高性能控制器” 的組合(適配 LTS-IRP-D20 測距型探頭、LTS-IRP-T50 測厚型探頭,搭配 LTS-IRC5400-S 控制器),實現(xiàn)從 “納米級精度檢測” 到 “高速在線全檢” 的全場景覆蓋。產品以 “零接觸、高穩(wěn)定、強適配” 為核心特性,可精準應對超薄晶圓、多層半導體材料及先進封裝組件的厚度測量需求,為產線工藝監(jiān)控、良率提升及成本控制提供關鍵數據支撐。

LTS-I 系列的核心競爭力源于多項關鍵技術的集成創(chuàng)新,從光源、光學設計到信號處理全鏈路優(yōu)化,確保測量精度與穩(wěn)定性:
高精度光學系統(tǒng):源頭保障測量質量
采用SLD 超輻射二極管作為光源,配合高數值孔徑物鏡,可聚焦出 Φ20μm 的微小光斑(測厚型探頭為參考距離處光斑直徑,測距型探頭為量程中心光斑直徑),同時控制 ±2° 的精準測量角度,有效減少雜光干擾,確保光線聚焦于被測層,為后續(xù)信號采集提供高質量基礎。
專有信號解調技術:抑制噪聲,提升數據可靠性
搭載專有傅里葉變換相位解調技術,可高效分離有效測量信號與環(huán)境噪聲,即使在工業(yè)產線復雜環(huán)境下,仍能保持穩(wěn)定的測量輸出;同時突破傳統(tǒng)分光干涉測量技術的局限,將測量精度推向納米級,滿足半導體制造對 “超精密檢測” 的嚴苛要求。
高速數據處理單元:匹配產線節(jié)奏
內置高速 FPGA 數據處理單元,實現(xiàn)單點測量<25 微秒的極速響應,采樣頻率最高可達 40kHz,支持全檢模式。該單元可實時同步產線節(jié)拍,避免 “測量滯后導致批量不良” 的問題,為工藝實時反饋與調整提供核心算力支撐。
LTS-I 系列的性能優(yōu)勢通過明確的參數指標落地,覆蓋精度、量程、環(huán)境適應性等核心維度,確保在工業(yè)場景中持續(xù)可靠運行:
| 測量精度 | |
| 量程范圍 | LTS-IRP-T50:n=1 時 50~4000μm |
| 光學特性 | |
| 接口與通信 | |
| 輸入輸出 | 輸出:數字信號、0~5V/0~10V/±5V/±10V 模擬電壓、4~20mA 模擬電流、警報 / 比較器輸出 |
| 電源與功耗 | |
| 環(huán)境耐性 | |
| 物理規(guī)格 | |
| 軟件支持 |
針對半導體制造中常見的硅、碳化硅、砷化鎵等多層材料,LTS-I 系列通過 “優(yōu)化紅外光譜選擇 + 分層信號算法分離” 技術,可一鍵式完成多層結構的厚度分析,精準識別各層界面并測量整體晶圓厚度,無需手動調整參數,避免多層疊加導致的測量偏差。
采用 “Zero Contact, Zero Damage” 設計,完quan避免傳統(tǒng)接觸式測頭對晶圓表面的劃傷風險。這一特性對超薄 wafer(厚度微米級)、先進封裝組件(如倒裝芯片)及化合物半導體至關重要,可有效減少因檢測環(huán)節(jié)導致的器件報廢,保護高價值產品。
憑借<25 微秒的單點測量速度與 40kHz 的高采樣頻率,LTS-I 系列可融入產線實現(xiàn)全檢,而非傳統(tǒng)抽樣檢測。結合實時數據反饋功能,能快速發(fā)現(xiàn)研磨、拋光、外延等制程后的厚度偏差,立即觸發(fā)工藝參數調整,從源頭杜絕 “批量性不良品”,避免數千美元 / 片的晶圓報廢損失。
在 CMP(化學機械拋光)減薄等關鍵制程中,LTS-I 系列可實時監(jiān)控厚度變化與均勻性,向產線 APC(先進過程控制)系統(tǒng)提供高頻、高可靠性的測量數據,精準控制減薄終點,減少 “過薄” 或 “未達標” 情況,顯著提升產品一致性。
LTS-I 系列的適配性貫穿半導體制造從前端制程到先進封裝的關鍵環(huán)節(jié),具體應用包括:
研磨 / 拋光后檢測
外延制程監(jiān)控
CMP 減薄工藝控制
先進封裝測量
LTS-I 系列紅外干涉測厚傳感器不僅是 “高精度測量工具”,更是半導體產線的 “良率守護者” 與 “工藝優(yōu)化伙伴”:
良率提升
成本節(jié)約
技術前瞻性
易用性與集成性
綜上,LTS-I 系列紅外干涉測厚傳感器以 “納米級精度、高速在線能力、零接觸保護” 為核心,完mei適配半導體制造對 “高精度、高效率、高可靠性” 的需求,是高精度制造企業(yè)實現(xiàn)工藝升級、提升核心競爭力的理想選擇。
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