聚酯薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀

聚酯薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀由S916測(cè)試裝置（夾具）、QBG-3E/QBG-3F/AS2853A型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入QBG-3E/QBG-3F或AS2853A的軟件模塊)、及LKI-1型電感器組成。依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美標(biāo)ASTM D150以及國(guó)際電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動(dòng)測(cè)量的解決方案。本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。使用QBG-3E或AS2853A數(shù)字Q表具有自動(dòng)計(jì)算介電常數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗（tanδ）。

定義：

　　這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語(yǔ)定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義見術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)D1711。

　　本標(biāo)準(zhǔn)專用術(shù)語(yǔ)定義：

　　電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí)，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。

　　討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫(kù)倫為單位，電位采用伏特為單位時(shí)，電容單位為法拉，即：

　　C=q/V （1）

　　耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對(duì)電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值。

　　D=K''/K' (2)

　　3.2.2.1 討論——a：

　　D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)

　　式中：

　　G=等效交流電導(dǎo)，

　　Xp=并聯(lián)電抗，

　　Rp=等效交流并聯(lián)電阻，

　　Cp=并聯(lián)電容，

　　ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）

　　耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：

　　D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)

　　串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：

　　Cp=Cs/(1 D2) (5)

　　Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)