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EGY48感受態(tài)細胞

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更新時間:2023-04-27 21:52:08瀏覽次數(shù):512

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產(chǎn)品簡介

供貨周期 現(xiàn)貨 應用領(lǐng)域 生物產(chǎn)業(yè)
EGY48感受態(tài)細胞

詳細介紹

EGY48 Competent Cell:                                       100μl/支              保存: -80℃(3個月)

 

pGBKT7 (control vector, 10 ng/μl)                           10μl              保存:-80℃(12個月)

Carrier DNA (10 μg/μl)                                             100μl              保存:-20℃(12個月)

PEG/LiAC:                                                                    5ml              保存:    4℃(12個月)

 

 

基因型

MATα, ura3, his3, trp1, LexAop (x6)-LEU2

 

 

產(chǎn)品說明

EGY48菌株是Clontech公司開發(fā)的LexA系統(tǒng)酵母雙雜實驗用菌株,MATα型,可直接轉(zhuǎn)化質(zhì)粒進行蛋白互作驗證或篩庫試驗;Transformation marker為:his3trp1,ura3,報告基因為:LEU2;報告基因UAS (上游激活序列)來源于LexA op(x6),只有當 Bait和 Prey互作時才能啟動 LEU2表達。EGY48-LexA酵母雙雜系統(tǒng)系統(tǒng)需要三種質(zhì)粒配套使用:pLexA、pB42AD、p8op-LacZ。質(zhì)粒pLexA的篩選標志為HIS3,用于表達DNA-BD(來自原核的202個氨基酸殘基組成的LexA蛋白)與目標蛋白 (Bait)的融合蛋白;質(zhì)粒pB42AD的篩選標志為TRP1,用于表達AD(來自皰疹病毒的88個氨基酸殘基組成的B42AD蛋白)與目標蛋白 (Prey)的融合蛋白;報告質(zhì)粒p8op-LacZ的篩選標志為URA3,報告基因為LacZ,報告基因UAS來源于LexA op(x6),只有當 Bait和 Prey互作時才能啟動 LacZ表達。EGY48感受態(tài)細胞經(jīng)特殊工藝制作,-80℃可保存三個月,pGBKT7質(zhì)粒檢測轉(zhuǎn)化效率>104 cfu/μg DNA。

 

 

 

操作方法
1. 取100 μl冰上融化的EGY48感受態(tài)細胞,依次加入預冷的目的質(zhì)粒2-5ug,Carrier DNA(95-100度5min,快速冰浴,重復一次)10 ul ,PEG/LiAc  500ul并吸打幾次混勻,30度水浴30 分鐘(15 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
2. 將管放42度水浴15min  (7.5 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。   
3. 5000 rpm 離心 40s 棄上清,ddH2O 400ul 重懸,離心 30s 棄上清。                       

4. ddH2O 50ul重懸,涂板,29℃培養(yǎng)48-96h。

 

 

注意事項

1. 感受態(tài)細胞在冰上融化。

2. 轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)粒可相應減少最終用于涂板的菌量。

3. 同時轉(zhuǎn)化2-3種質(zhì)粒時可增加質(zhì)粒的用量。

4. EGY48酵母菌株對高溫敏感,最適生長溫度為27-30℃;高于31℃,生長速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。

5. 菌落變粉不是污染,是酵母細胞生長中一個常見現(xiàn)象。當細胞在平板培養(yǎng)幾天后,平板上的Adenine被酵母消耗完畢,酵母試圖通過自身代謝途徑合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破壞,Adenine合成途徑受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中間產(chǎn)物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在細胞中積累而使菌落變?yōu)榉奂t色。

6. 酵母在缺陷培養(yǎng)基中生長速度比YPDA培養(yǎng)基慢,培養(yǎng)基中缺陷成分越多,生長越慢,以轉(zhuǎn)化涂板為例:涂YPDA平板29℃,48 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克?。煌縎D單缺平板29℃,48-60 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD雙缺平板29℃,60-80 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆。

 

 

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