900nm-2600nmPD探測(cè)器

900nm-2600nmPD探測(cè)器

2微米探測(cè)，探測(cè)波長(zhǎng)范圍900nm-2600nm,

光敏面 1mm

大球管帽有利于收光

廣泛應(yīng)用于氣體檢測(cè)接收端

1742nm 氯化氫

2004nm  二氧化碳

2121.8nm  一氧化碳

2122nm N2O

2326.8nm  氫氣

InGaAs（銦鎵砷）是一種重要的半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于光電探測(cè)領(lǐng)域，尤其在高速探測(cè)、紅外成像和氣體分析中表現(xiàn)突出。其器件具有寬光譜響應(yīng)范圍（400-2600 nm）、高量子效率及小型化封裝等特點(diǎn)，近年來在超薄結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和技術(shù)集成方面取得顯著進(jìn)展。

1. 材料特性與核心應(yīng)用
InGaAs由銦、鎵、砷元素組成，能帶結(jié)構(gòu)可調(diào)，可實(shí)現(xiàn)可見光到短波紅外（SWIR）的寬光譜探測(cè)。傳統(tǒng)探測(cè)器通常覆蓋800-1700 nm波長(zhǎng)，適用于光纖通信、激光雷達(dá)和氣體檢測(cè)（如CH4、CO2分析、H2氫氣分析）。新型設(shè)計(jì)通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化，將響應(yīng)范圍擴(kuò)展至400-2600 nm，增強(qiáng)了多場(chǎng)景適用性。

2. 主流產(chǎn)品類型及封裝
市場(chǎng)上InGaAs探測(cè)器產(chǎn)品多樣化，包括：

• TO5封裝（2mm直徑）：適用于工業(yè)級(jí)高靈敏探測(cè)；

• TO-CAN封裝（500μm或1mm光敏面）：體積小、成本低，適合集成化設(shè)備；

• TO46平窗封裝（1mm直徑）：兼顧透光性與機(jī)械強(qiáng)度。不同封裝滿足從實(shí)驗(yàn)室到工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的多層次需求，價(jià)格跨度從幾十元到數(shù)萬元不等，深圳等地為主要銷售集散地。

  
  

900nm-2600nmPD探測(cè)器，實(shí)物圖如下：