目錄:筱曉(上海)光子技術有限公司>>太赫茲系統(tǒng)>>太赫茲透鏡/窗片/晶體>> THZ-GASE-10-10-0.5硒化鎵晶體 10 x 10 x 0.5mm(太赫茲透鏡)
產地類別 | 進口 | 應用領域 | 電子,電氣,綜合 |
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硒化鎵晶體 10 x 10 x 0.5mm(太赫茲透鏡)
GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾高,非線性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。
注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟,易碎。
硒化鎵晶體 10 x 10 x 0.5mm(太赫茲透鏡)
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