磁控濺射儀(Magnetron Sputtering Instrument)是一種通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率的物理氣相沉積儀器。
磁控濺射技術(shù)隨著其核心裝備磁控濺射設(shè)備的不斷發(fā)展，已經(jīng)應(yīng)用于復(fù)合材料、電子元器件，金屬表面處理等領(lǐng)域。對(duì)于壓制硬度、提高耐磨性，增加電子元器件的性能等方面，都有著重要的應(yīng)用。
磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶，加入氬氣和反應(yīng)氣體如氨氣或氧氣。當(dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。若磁鐵靜止，其場(chǎng)特性決定一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)場(chǎng)。但旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，同時(shí)濺射速率要減小。冷卻水管。
儀器特點(diǎn)
1.沉積速度快、基材溫升低、對(duì)膜層的損傷??；
2.對(duì)于大部分材料，只要能制成靶材，就可以實(shí)現(xiàn)濺射；不同的金屬、合金、氧化物能夠進(jìn)行混合，同時(shí)濺射于基材上；
3.濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好、純度高、致密性好、成膜均勻性好；
4.能夠準(zhǔn)確控制鍍層的厚度，同時(shí)可通過(guò)改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大??；
5.易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化；
6.濺射工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜。
通過(guò)這些主要部件和組成，磁控濺射儀能夠?qū)崿F(xiàn)高效、準(zhǔn)確地在基底上沉積均勻致密的薄膜。該技術(shù)在光學(xué)涂層、導(dǎo)電薄膜、防腐蝕涂層等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
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