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HVMSS-SPC-1-LD-1英寸高真空磁控濺射頭
  • HVMSS-SPC-1-LD-1英寸高真空磁控濺射頭
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貨物所在地:遼寧沈陽(yáng)市

更新時(shí)間:2024-08-19 08:46:52

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1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD可安裝直徑為1“的靶材??膳c直流、脈沖直流和射頻電源相匹配,因此可濺射各種靶材(如金屬、陶瓷、磁性和非磁性靶材等)。且采用高真空的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可提高鍍膜質(zhì)量。

產(chǎn)品型號(hào)

  1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD

主要特點(diǎn)

  1、采用高質(zhì)量的不銹鋼和陶瓷材料制作。

  2、采用電磁場(chǎng)的有元計(jì)算法來(lái)設(shè)計(jì)永磁體,以得到較高的磁場(chǎng)強(qiáng)度和均勻分布。

  3、磁體表面涂有保護(hù)層,以防止冷卻水的腐蝕,延長(zhǎng)其使用壽命。

  4、標(biāo)準(zhǔn)的HN型接頭,可與DCRF電源相匹配。

  5、安裝采用標(biāo)準(zhǔn)真空接頭,便于操作。

  6、靶材更換較為簡(jiǎn)單,無(wú)需調(diào)整濺射頭的高度。

  7、配有銅靶1塊。

技術(shù)參數(shù)

  1、濺射頭直徑:Φ46.3mm

  2所用靶材:直徑1"±0.02"(25.4mm),zui大厚度1/8"(3mm        

  3磁環(huán):NdFeB稀土永磁體

  4、柄桿直徑:外徑3/4"

  5、電路接頭:標(biāo)準(zhǔn)HN型接頭,可與DCRF電源相匹配

  6、所需功率:DCzui大250WRFzui大100W

  7、陰極濺射電流:zui大3A

  8、陰極濺射電壓:200V-1000V

  9、工作壓力范圍:1mtorr-1torr

  10、濺射厚度均勻性:采用磁控濺射在氧化非晶硅片上沉積一個(gè)20nm的薄膜,直流功率150W,真空環(huán)境

                                         10mtorr,1"銅靶,與基片距離75mm

                                       

  11、水冷卻:水管接頭為外徑0.25"快插頭,所需水流量1/2GPM,進(jìn)水溫度<20

                       

  12、高真空快速接頭:為贈(zèng)送品,數(shù)量1個(gè),內(nèi)徑為0.75",可將濺射頭安裝在真空腔體上,真空腔體上的安裝

               孔直徑為1",真空腔體的壁厚不得大于1"

                                       

  13、傾斜裝置:濺射頭相對(duì)于柄桿zui大可傾斜±45?,設(shè)有刻度線,可觀察到靶頭傾斜的角度

                         

產(chǎn)品規(guī)格

  尺寸:14"355.6mm);重量:1.36kg

可選配件

  1、循環(huán)水冷機(jī),流量為16L/min,水箱容積為6L。

  2、100W小型手動(dòng)匹配型射頻電源RF-100-LD,可自行搭建濺射鍍膜儀。

主要應(yīng)用

  在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜,應(yīng)用如下:

  薄膜涂覆、半導(dǎo)體器件、磁記錄介質(zhì)、超導(dǎo)薄膜、量子計(jì)算器件、MEMS、生物傳感器、納米技術(shù)、超晶格、顆粒

  膜、記憶合金、組合薄膜沉積、光學(xué)薄膜

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