SRM2842半導體薄膜標準品(美國NIST) 返回列表頁

SRM2842半導體薄膜標準品(美國NIST)旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標準，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。 SRM 2842 的一個單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 襯底上生長經過認證的 Al 摩爾分數 x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個單元都密封在含有氮氣氣氛的聚酯薄膜信封中。正確使用 SRM 作為比較標準取決于分析方法（參見“測量條件和程序"和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

認證鋁值：

NIST 認證值是 NIST 對其準確性有最高置信度的值，因為 NIST [2] 已調查或解釋了所有已知或可疑的偏差來源。鋁 (Al) 的認證值（以摩爾分數表示）在表 1 中提供。認證值基于 Al 摩爾分數與薄膜 PL 光譜中峰強度能量之間已確認的相關性 [3 ,4]。認證值的不確定度是擴展不確定度 (k = 2)，旨在接近 95% 的置信水平 [5]。對每個 SRM 單元進行了兩次額外的質量檢查。一、分子在樣品生長過程中監(jiān)測束外延生長系統(tǒng)。為了作為 SRM 被接受，由每個單元的反射高能電子衍射的強度振蕩確定的 Al 摩爾分數必須在其擴展的不確定性范圍內與認證值一致。其次，薄膜的自由載流子濃度必須在 1 × 1016 cm-3 和 5 × 1016 cm-3 之間

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表 1. SRM 2842 中鋁的認證值（摩爾分數）

鋁：樣品±樣品

證書到期：

SRM2842半導體薄膜標準品(美國NIST) 的認證在規(guī)定的測量不確定度范圍內有效，有效期至 2031 年 8 月 1 日，前提是按照本證書中給出的說明處理和儲存 SRM（參見“處理、儲存和使用說明"） ）。如果 SRM 損壞、污染或以其他方式修改，則認證無效。表面氧化和污染會因使用和儲存而增加標本。對于對表面污染敏感的應用，SRM 和未知樣品需要就地清潔，通常是光濺射。如果濺射薄膜導致薄膜明顯變粗糙或出現選擇性濺射跡象，則應更換 SRM。