上海元鋅自動(dòng)化系統(tǒng)有限公司
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菲尼克斯電源MINI-SYS-PS-240AC/24DC/1.5

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產(chǎn)品型號(hào)MINI MCR-BL-I-I

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所  在  地上海市

更新時(shí)間:2023-11-13 11:17:26瀏覽次數(shù):193次

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DIN導(dǎo)軌安裝型MINI POWER電源,初級(jí)開關(guān)模式,單相輸入,輸出:24 V DC/1.5 A

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P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性:它是靠空穴導(dǎo)電,摻入的雜質(zhì)越多,多子(空穴)的濃度就越高,導(dǎo)電性能也就越強(qiáng)。

N型半導(dǎo)體:在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,形成N型半導(dǎo)體。

多子:N型半導(dǎo)體中,多子為自由電子。

少子:N型半導(dǎo)體中,少子為空穴。

施子原子:雜質(zhì)原子可以提供電子,稱施子原子。

N型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性:摻入的雜質(zhì)越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導(dǎo)電性能也就越強(qiáng)。

結(jié)論:

多子的濃度決定于雜質(zhì)濃度。

少子的濃度決定于溫度。

PN結(jié)的形成:將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上,在它們的交界面就形成PN結(jié)。

PN結(jié)的形成過(guò)程:如圖所示,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上,在無(wú)外電場(chǎng)和其它激發(fā)作用下,參與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的多子數(shù)目等于參與漂移運(yùn)動(dòng)的少子數(shù)目,從而達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,形成PN結(jié)。

擴(kuò)散運(yùn)動(dòng):物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方運(yùn)動(dòng),這種由于濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。

空間電荷區(qū):擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合,而擴(kuò)散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合,所以在交界面附近多子的濃度下降,P區(qū)出現(xiàn)負(fù)離子區(qū),N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū),它們是不能移動(dòng),稱為空間電荷區(qū)。

電場(chǎng)形成:空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)。



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