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低功率艾賽斯IXYS模塊MOS管場效應管開關
MOS場效應晶體管通常簡稱為場效應管,是一種應用場效應原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比擬,場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集...
型號: 40-100V
所在地:蘇州市
參考價:
¥320更新時間:2024/6/24 16:35:41
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艾賽斯IXYS場效應管MOS管MOS場效應管半導體模塊
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艾賽斯模塊MOS管現貨供應
MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導體。MOS...
型號: 150-300V
所在地:蘇州市
參考價:
¥320更新時間:2024/6/24 16:35:40
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德國IXYS艾賽斯MOS管場效應管半導體模塊艾賽斯模塊
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MOS管/三極管/場效應管 德國IXYS艾賽斯
MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效...
型號: 500-650V
所在地:蘇州市
參考價:
¥320更新時間:2024/6/24 16:35:39
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德國IXYS艾賽斯MOS管場效應管半導體模塊電子元器件
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艾賽斯IXYS場效應管MOS管觸發(fā)開關驅動模塊
MOS具有以下特點:開關速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無二次擊穿問題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等。其最重要的有點就是能夠減少體積大...
型號: 800-900V
所在地:蘇州市
參考價:
¥320更新時間:2024/6/24 16:35:38
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艾賽斯IXYS場效應管MOS管MOS場效應管半導體模塊
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德國艾賽斯MOS管場效應管模塊貼片大功率
mos管在電路中一般用作電子開關,在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路,漏極原封不動地接負載,叫開路漏極,開路漏極電路中不管負載接多高的電壓,都能夠接通和關斷...
型號: 1000-2500...
所在地:蘇州市
參考價:
¥320更新時間:2024/6/24 16:35:38
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德國艾賽斯MOS管模塊半導體模塊MOS場效應管艾賽斯
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IGBT模塊西門康模塊全系列可控硅賽米控
SKiiP 的關鍵特性:集成驅動、功率模塊和散熱器、集成溫度測量、集成精準的電流傳感器、集成直流母線監(jiān)測、SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線、100%免焊...
型號: SKIIP AHB...
所在地:蘇州市
參考價:
¥155更新時間:2024/6/24 16:34:36
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IGBT模塊西門康模塊SEMIKRON賽米控半導體模塊SKIIP IPM系列
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德國賽米控大功率IPM模塊西門康IGBT模塊
SKiiP產品特點是:4合1:功率IPM驅動器、功率半導體、高精度電流傳感器和高性能冷卻風冷或水冷(HPC);采用了燒結技術,功率循環(huán)能力提高了2-3倍(SKi...
型號: SKiiP GB系...
所在地:蘇州市
參考價:
¥155更新時間:2024/6/24 16:34:35
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IPM模塊西門康IGBT模塊西門康模塊IGBT模塊半導體模塊
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西門康智能功率模塊SKIIP全新IGBT型號齊全
SKiiP*功率范圍0.5至6MW的風力發(fā)電機的特定要求。除了風力發(fā)電應用外,SKiiP模塊還可用于電梯、太陽能和軌道交通應用——事實上,動力強勁且安全可靠的I...
型號: SKIIP AC系...
所在地:蘇州市
參考價:
¥155更新時間:2024/6/24 16:34:34
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SKIIP西門康IGBT智能模塊半導體模塊電子元器件
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SKIIP智能功率模塊IGBT西門康驅動器半導體
SKiiP IPM產品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設計樹立了一個基準。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度,結合靈活的冷卻選項,如風冷和水冷卻或定制的散...
型號: NAC系列
所在地:蘇州市
參考價:
¥155更新時間:2024/6/24 16:34:33
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SKIIP智能模塊西門康塞米控IGBT模塊半導體模塊
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西門康SEMIKRON賽米控SKiiP IPM系列IGBT
得益于銀燒結和高性能冷卻器技術,SKiiP提高了對苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性。與傳統(tǒng)的焊接方法相比,燒結技術延長了工作壽命,提高了對主動和被動熱循環(huán)的彈性。SK...
型號: SKIIP11NA...
所在地:蘇州市
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¥155更新時間:2024/6/24 16:34:33
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SKiiP 系列西門康SEMIKRON賽米控IGBT模塊SKIIP11NAB半導體模塊
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德國西門康IGBT功率模塊SKM200/300GBD齊全
IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時間。td(...
型號: GBD系列
所在地:蘇州市
參考價:
¥155更新時間:2024/6/24 16:34:32
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德國西門康IGBT模塊GDB系列電子元器件半導體模塊
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西門康IGBT模塊SKM200GAH123/126半導體模塊
賽米控提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊,支持不同的拓撲結構、額定電流和電壓。這些IGBT模...
型號: GAH系列
所在地:蘇州市
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¥155更新時間:2024/6/24 16:34:31
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西門康IGBT模塊電子元器件半導體模塊GAH系列
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6U德國西門康IGBT功率模塊六單元全新現貨
IGBT動態(tài)特性是 :IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又增加...
型號: GD六單元
所在地:蘇州市
參考價:
¥155更新時間:2024/6/24 16:34:31
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GD六單元西門康模塊IGBT模塊西門康IGBT模塊
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西門康模塊IGBT模塊斬波模塊(IGBT+二極管)
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU",作為國家戰(zhàn)略性新興產業(yè),在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。I...
型號: GAR單開關
所在地:蘇州市
參考價:
¥155更新時間:2024/6/24 16:34:30
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西門康模塊IGBT模塊西門康IGBTGAR開關
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西門康IGBT模塊SKM電子元器件半導體全系列
西門康IGBT驅動板 包括三大類:Driver驅動板、Driver Core驅動芯、Adaptor Board適配板,適于驅動600V、1200V、1700V三...
型號: GAL單開關
所在地:蘇州市
參考價:
¥155更新時間:2024/6/24 16:34:29
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西門康IGBTIGBT模塊GAL單開關西門康模塊
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西門康SEMIKRON賽米控IGBT模塊電子元器件2U
IGBT,絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GT...
型號: GB兩單元
所在地:蘇州市
參考價:
¥155更新時間:2024/6/24 16:34:29
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GB兩單元西門康IGBT模塊塞米控電子元器件
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西門康IGBT模塊分立半導體模塊一單元(1U)
SEMITRANS是一種穩(wěn)健的工業(yè)標準封裝,配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設計,可用于20kW至500kW的逆變器。通過多...
型號: GA一單元 600...
所在地:蘇州市
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¥155更新時間:2024/6/24 16:34:28
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西門康IGBT模塊GA一單元西門康模塊SEMITRANS系列
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晶閘管/二極管英飛凌模塊T系列可控硅原裝
可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應用較多??煽毓栌腥齻€電極---陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的...
型號: TD系列
所在地:蘇州市
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¥155更新時間:2024/6/24 16:34:27
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晶閘管二極管模塊英飛凌可控硅模塊T系列
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英飛凌可控硅模塊二極管晶閘管全新半導體
英飛凌Infineon的晶閘管/二極管模塊提供不同封裝形式,如20mm、34mm、50mm、60mm、70mm底板寬。采用不同的連接技術,有焊接、壓接模塊可供選...
型號: DT系列
所在地:蘇州市
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¥155更新時間:2024/6/24 16:34:27
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英飛凌DT系列可控硅二極管
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德國英飛凌可控硅模塊
德國英飛凌可控硅模塊按其內部管芯連接方式可分為 TT 雙可控硅串聯(lián)、 DD 雙二極管串聯(lián) 、 TZ 單可控硅模塊等7種,具體見產品詳情??捎糜趲缀跛邢辔豢刂苹?..
型號: TT系列
所在地:蘇州市
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¥155更新時間:2024/6/24 16:34:25
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英飛凌英飛凌可控硅模塊TT系列二極管模塊雙可控硅串聯(lián)