歐美原廠供應(yīng)品牌 Graff 返回列表頁(yè)

 歐美原廠供應(yīng)品牌  Graff

  上海 荊戈 是致力于為中國(guó)大陸廣大客戶提供一站式歐美原產(chǎn)工控機(jī)電設(shè)備，儀器儀表，備品備件的采購(gòu)供應(yīng)商。

公司立足上海，輻射全球?？偛课挥跉W洲航空中心德國(guó)法蘭克福，海外直購(gòu)，源頭采購(gòu)，杜絕國(guó)內(nèi)代理、辦事處、經(jīng)銷商的層層加價(jià)，給您一手的優(yōu)惠報(bào)價(jià)，而且通過(guò)拼單發(fā)貨，并與優(yōu)秀國(guó)際物流服務(wù)商攜手合作，保證貨期的準(zhǔn)確與快速，我們和國(guó)外已與歐洲眾多廠商達(dá)成合作，對(duì)于國(guó)內(nèi)不易尋找的品牌產(chǎn)品，Dagger德國(guó)總部將發(fā)揮本地優(yōu)勢(shì)，幫您采購(gòu)到！

品牌介紹：

 德國(guó)graff直以來(lái)致力于國(guó)內(nèi)外的代理銷售，以傳動(dòng)控制、工業(yè)自動(dòng)化、儀器儀表、低壓配電為主導(dǎo)產(chǎn)品，具有雄厚技術(shù)力量的現(xiàn)代化高新民營(yíng)企業(yè)?，F(xiàn)有20余名工業(yè)自動(dòng)化經(jīng)驗(yàn)豐富的銷售人員，其中大專學(xué)歷的員工占80%以上。有溫度傳感器,位移傳感器等

平均貨期：6-8周：

型號(hào)示例：

GraffArticle:122969; Details:HLP 12,5X153/140 800W 230V G500EA90

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Graff GmbH102381 GF-7140.1.3-L.10.90.82.BK.400°C

GraffGF-7132.1.EL=160.NL=200.0.82. BK.150°C

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Graff101661 ZH205 180X60 110V 900W A=500 ZG 190887 1EN3780 000 0

GraffGF 7132 581273

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GraffArticle:122969;Details:HLP 12,5X153/140 800W 230V G500 EA90°

Graff122544 HLP 12,5X153/113 800W 110V G500 1908855-000-00

Graff102319 GF-7124.1.P.7.35.G.350.GL-GL. A/20.350°C

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Graff122969 HLP 12,5X153/140 800W 230V G500 E A90° 8362823-00-00

Graff122544 HLP 12,5X153/113 800W 110V G500 1908855-000-00

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GraffPT100 7131.1.4 - 1.15000.A.400.15M

FLENDER-GRAFFENSTADEN05 C630 C3 H.S. BEARING

FLENDER-GRAFFENSTADEN05 D282 F3 H.S.BEARING

FLENDER-GRAFFENSTADEN05 D283 F3 H.S.BEARING

GraffGF-7140.2.4-L.10.35.82.BK.400??C

GraffDTAI-1E2-THJ-12A-B20Z-S1-F9-R-W-6P-000

GraffDAI-1E2-12A-B20Z-S1-F9-R-W-6P-000

Graff7043.1.FK.DD.0.120.162.W.1000.D

GraffArt Nr:119261

GraffGF7132??528326;1 Pt 100/B/3 ??DIN EN 60751 ??ET 295mm??229123??-50+400c ??2904

Graffype GF-8100.1.3-L.9.D.400.NL=530.82.BKMU, Order no:8100.1.9.0028, ??-50...400~C??; 1 x Pt 100 Ohm 3-wire circuit; connection head form B; transmitter ??-50 - 400 ~C ??= 4 - 20 mA screw thread G 1/2"; sheath tube ?? 9 x 1 ram; material: 1.4571 fitting leng

graffGF7140??2PT100/B/4??ET35MM,0-+400??521613.10

graffGF7140??2PT100/B/4??ET80MM,-50-+400??520991.10

Graff1XPT100/B/3

Graff122544 HLP 12,5X153/113 800W 110V G500 1908855-000-00

Graff GmbHGF7050.1.FK-J.I250 

GRAFFM37412134

Graff GmbH8102.1.3-L.10.D

GRAFF7132 1xPt100/B/2 ET160mm -50+150C 83106 SE59084 GRAFF GMBH EL130300 DIN EN 60751 NL 200mm

GRAFFGF7132/58132625

graffGF 7132

Graff7143??2*PT100/B/4??DIN EN60751??185413

GRAFF214444 2xPt100/B/4

Graff GmbH58132636 GF-7132 PT100 EF350mm 6932546

Graff122544 HLP 12,5X153/113 800W 110V G500 1908855-000-00

GRAFFtype GF-7027/7050.2.NC.i.6.600.NL=650.82.DANWMU 0-600~C

Graff GmbHKA-04-01-01070

GRAFF7112.1.3??L.8.P.25.VK-14.15000.A.400

GRAFF8101 2XPt100/B/3 ET100mm 28888

Graff GF-7112.1.4-L.8W.VK-17-6000.A.400?? 0-400?? AS=6M Nr.102717 

GRAFF226238/ 7124-7-35-2000

graff type GF-8100.2.3-L.9.D.3.M3.82.DANW.MU 0-400~C; 2 x Pt 100 Ohm

GRAFFGF 8100 2PT 100/B/3 ET 400MM NL 520MM 0-400?? 4-20ma 1799

GraffFEP-D=6/L=5000_

Graff GF-7132 1Pt100/B/3 A003-204-20 GF 

GRAFF 115790 122544 12.5D 153L 110V 800W

GRAFFZH05-00E ??180*60mm 110v 900w

GraffGF-7140.1.3-L.8.50.82.3000.A.400??C

GRAFFGF-7112.1.3-L.6.P.TH-44-8-32

GRAFF537500 Pt100 -50-400??

GRAFF7034.1.FK-L.I.8.P.200.43*30.3000.A.400??

GRAFFGF.7112-1-1/3.DIN.4-L.6.W500.VK14.12000.A400??C or STS-112-2-1-2-0-2-0-12000-0-1

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GRAFFGF.8100.1.4-L.D.11.240 ML=407.82 BKV.400??C or STS-170-2-1-2-5-(240/ML407)-2-(1/BKV)

GRAFFGF.8100.1.4-L.D.11.330 ML=407.82 BKV.400??C or STS-170-2-1-2-5-(330/ML407)-2-(1/BKV)

GRAFFGF.8100.1.4-L.D.11.50. ML=177.82.BKV.400??C or STS-170-2-1-2-5-(50/ML177)-2-(1/BKV)

graff gmbh71 40/523735.10,and picture

Graff7140-2XPT100/B/4

GRAFFGF-7122.1.68.0016

GRAFF GMBH7127 1XPT100/B/3 -50 +150?? 37486 4-20MA

GRAFF7140-2XPT100/B/4,ET35mm,-50+400??

GRAFFArticle: 122969;Details: HLP 12,5X153/140 800W 230V G500 E A90?? 

GRAFF7140-2XPT100/B/4 ET35mm -50+400??

GRAFF272078;EN 60584;Graff 7043

graffGF-7132.1.EL=160.NL=200.0.82. BK.150??C 102952

GRAFFGMBH7132 PT100/B/2 200MM -50-150

Graff GmbHPT100 GF.8100.1.4-L.11.D.240

Graff GmbHPT100 GF.8100.1.4-L.11.D.330

Graff GmbHPT100 GF.8100.1.4-L.11.D.50

邊緣處的數(shù)字后端處理濾波器可進(jìn)一步重點(diǎn)關(guān)注目標(biāo)數(shù)據(jù)。邊緣傳感器處的數(shù)據(jù)頻率分析可在信息離開節(jié)點(diǎn)之前，并及早判定信號(hào)內(nèi)容。一些高階計(jì)算模塊執(zhí)行快速傅里葉變換(FFT)、有限脈沖響應(yīng)(FIR)濾波并使用智能抽取，可縮小抽樣數(shù)據(jù)的范圍。在一些情況下，功率平衡即使是在可以實(shí)現(xiàn)能量采集的情況下，許多工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點(diǎn)也必須能夠在同一小型電池上運(yùn)行多年。ULP操作將是這些節(jié)點(diǎn)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，異構(gòu)多核MCU的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于，它可以克服嵌入式閃存的限速問(wèn)題。通過(guò)在兩個(gè)小型內(nèi)核中以非對(duì)稱的方式對(duì)任務(wù)進(jìn)行分割，可在實(shí)現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時(shí)，仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲(chǔ)器。實(shí)現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本，因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部分。而且必須選用能夠最小化節(jié)點(diǎn)實(shí)際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器，針對(duì)低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。7包括針對(duì)更簡(jiǎn)單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+，以及需要浮點(diǎn)和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M4。使用性能更高的處理內(nèi)核可能會(huì)影響低功耗性能。在大幅度降低數(shù)據(jù)帶寬之后，只需要從邊緣傳感器節(jié)點(diǎn)處傳輸通過(guò)或未通過(guò)信息增量痕跡。在未使用前端濾波器或數(shù)字后端處理濾波器的情況下，可能會(huì)出現(xiàn)混疊。振動(dòng)監(jiān)控的典型信號(hào)鏈。

而且必須選用能夠最小化節(jié)點(diǎn)實(shí)際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器，針對(duì)低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。異構(gòu)多核MCU的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于，它可以克服嵌入式閃存的限速問(wèn)題。通過(guò)在兩個(gè)小型內(nèi)核中以非對(duì)稱的方式對(duì)任務(wù)進(jìn)行分割，可在實(shí)現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時(shí)，仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲(chǔ)器。實(shí)現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本，因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部分。7包括針對(duì)更簡(jiǎn)單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+，以及需要浮點(diǎn)和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M4。使用性能更高的處理內(nèi)核可能會(huì)影響低功耗性能。

　　我們可以看到在未使用前端模擬濾波器或數(shù)字后端處理濾波器的情況下，抽取8次(左側(cè))的簡(jiǎn)單信號(hào)將混疊新的干擾信號(hào)(中間)，從而使頻率折疊成期望的新信號(hào)頻帶(右側(cè))。異構(gòu)多核MCU的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于，它可以克服嵌入式閃存的限速問(wèn)題。通過(guò)在兩個(gè)小型內(nèi)核中以非對(duì)稱的方式對(duì)任務(wù)進(jìn)行分割，可在實(shí)現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時(shí)，仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲(chǔ)器。實(shí)現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本，因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部分。數(shù)字后端處理濾波器搭配數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)或微控制器(MCU)，同時(shí)將半帶FIR低通濾波器與抽取濾波器一起使用，將能夠?yàn)V除混疊的干擾信號(hào)，從而有助于防止出現(xiàn)這一問(wèn)題。

而且必須選用能夠最小化節(jié)點(diǎn)實(shí)際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器，針對(duì)低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。而且必須選用能夠最小化節(jié)點(diǎn)實(shí)際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器，針對(duì)低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。7包括針對(duì)更簡(jiǎn)單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+，以及需要浮點(diǎn)和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M4。7包括針對(duì)更簡(jiǎn)單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+，以及需要浮點(diǎn)和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M4。使用性能更高的處理內(nèi)核可能會(huì)影響低功耗性能。

邊緣節(jié)點(diǎn)異構(gòu)多核MCU的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于，它可以克服嵌入式閃存的限速問(wèn)題。通過(guò)在兩個(gè)小型內(nèi)核中以非對(duì)稱的方式對(duì)任務(wù)進(jìn)行分割，可在實(shí)現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時(shí)，仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲(chǔ)器。實(shí)現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本，因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部分處理洞察力——智能工廠

　　工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用解決方案適用于工廠機(jī)器狀態(tài)監(jiān)控。該解決方案的目的是在發(fā)生故障之前識(shí)別和預(yù)測(cè)機(jī)器性能問(wèn)題。邊緣傳感器節(jié)點(diǎn)的多軸高動(dòng)態(tài)范圍加速度計(jì)用于監(jiān)控工業(yè)機(jī)器上不同部位的振動(dòng)位移?？梢院Y選和抽取原始數(shù)據(jù)，在微控制器中進(jìn)行頻域解讀?？梢蕴幚砼c已知性能極限進(jìn)行比較的FFT，針對(duì)下游的通過(guò)、未通過(guò)和警示警報(bào)進(jìn)行測(cè)試。通過(guò)FIR濾波去除目標(biāo)帶寬外的寬帶噪聲，可實(shí)現(xiàn)FFT內(nèi)的處理增益。非對(duì)稱MCU可整合ARM® Cortex®-M3和Cortex-M0，使用處理器間通信協(xié)議進(jìn)行通信。這使M3能夠重點(diǎn)處理繁瑣的數(shù)字信號(hào)處理任務(wù)，而且必須選用能夠最小化節(jié)點(diǎn)實(shí)際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器，異構(gòu)多核MCU的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于，它可以克服嵌入式閃存的限速問(wèn)題。通過(guò)在兩個(gè)小型內(nèi)核中以非對(duì)稱的方式對(duì)任務(wù)進(jìn)行分割，可在實(shí)現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時(shí)，仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲(chǔ)器。實(shí)現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本，因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部分。針對(duì)低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。7包括針對(duì)更簡(jiǎn)單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+，以及需要浮點(diǎn)和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M4。而M0則執(zhí)行密集程度較低的應(yīng)用控制。5這樣可以將更簡(jiǎn)單的任務(wù)分流至小型內(nèi)核中處理。分區(qū)可功能更強(qiáng)大的M3內(nèi)核的處理帶寬，以便進(jìn)行計(jì)算密集型處理，而這是協(xié)同處理的真正核心所在。核間通信采用共享SRAM，其中一個(gè)處理器引發(fā)中斷，而另一個(gè)檢查。當(dāng)接收處理器在響應(yīng)時(shí)引發(fā)中斷，就會(huì)發(fā)出報(bào)警。

　　異構(gòu)多核MCU的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于，它可以克服嵌入式閃存的限速問(wèn)題。通過(guò)在兩個(gè)小型內(nèi)核中以非對(duì)稱的方式對(duì)任務(wù)進(jìn)行分割，可在實(shí)現(xiàn)內(nèi)核的全部性能的同時(shí)，仍繼續(xù)使用低成本嵌入式存儲(chǔ)器。實(shí)現(xiàn)嵌入式閃存的成本通常決定MCU的成本，因此可有效地消除瓶頸。在可用的功率預(yù)算中平衡處理器需求是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部分。

5功率平衡即使是在可以實(shí)現(xiàn)能量采集的情況下，許多工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點(diǎn)也必須能夠在同一小型電池上運(yùn)行多年。ULP操作將是這些節(jié)點(diǎn)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，而且必須選用能夠最小化節(jié)點(diǎn)實(shí)際功耗的元件。6許多非常適用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的MCU都采用ARM系列的Cortex-M嵌入式處理器，針對(duì)低功耗MCU和傳感器應(yīng)用。7包括針對(duì)更簡(jiǎn)單高效應(yīng)用而優(yōu)化的Cortex-M0+，以及需要浮點(diǎn)和DSP操作的高性能復(fù)雜應(yīng)用的Cortex-M4。使用性能更高的處理內(nèi)核可能會(huì)影響低功耗性能。

歐美原廠供應(yīng)品牌  Graff