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高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)/高溫電阻率測(cè)試儀

閱讀:302        發(fā)布時(shí)間:2015-06-19
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    北京若水合科技有限公司

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功能特點(diǎn)


■ 可以實(shí)現(xiàn)高溫、真空、氣氛等條件下測(cè)量薄膜方塊電阻;

■ 可以實(shí)現(xiàn)常溫,變溫,恒溫條件的 I-V、R-T、R-t等測(cè)量功能;

■ 可以通過(guò)輸入樣品的面積和厚度,軟件自動(dòng)計(jì)算樣品的電阻率ρv;

■ 可以分析電阻率ρv與溫度T的變化的曲線;

■ 可以與Keithley 2400或2600數(shù)字多用表配套;

為了更方便的研究高溫條件下半導(dǎo)體或***緣材料的導(dǎo)電性能,佰力博科技已經(jīng)研發(fā)出HRMS-800G高溫四探針測(cè)量系統(tǒng),該系統(tǒng)可以測(cè)量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻,,該設(shè)備按照單晶硅物理測(cè)試方法***家標(biāo)準(zhǔn)并參考美*** A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于變溫、真空及氣氛條件下測(cè)試半導(dǎo)體材料電學(xué)性能的佳測(cè)量系統(tǒng)。


■ 技術(shù)規(guī)格


溫度范圍:室溫-600°C升溫斜率:3°C /min (典型值)
顯示精度:±0.1°C控溫精度:±1°C
電阻:10~106 Ω電阻率:10~106Ω.cm
方塊電阻:10~106 Ω/□可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸 :薄膜直徑: Φ15~30mm
探針間距:2±0.01mm探針壓力: 0~2kg可調(diào),大壓力約2kg
針間***緣材料:99陶瓷或紅寶石針間***緣電阻:≥1000MΩ
探針材料:碳化鎢數(shù)據(jù)傳輸:2個(gè)USB接口


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