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貨物所在地：北京北京市
所在地： 北京市中關(guān)村科技園區(qū)通州園金橋
更新時(shí)間：2025-01-13 10:18:43
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常溫型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）
——室溫型近紅外探測(cè)器，使用范圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
● DInGaAs1600型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)小面積InGaAs元件；
● DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs元件；
● DInGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件；
● DInGaAs1700型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs元件；
● DInGaAs2600型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件
光譜響應(yīng)度曲線(xiàn)參考圖
（虛線(xiàn)為國(guó)產(chǎn)InGaAs元件光譜響應(yīng)度曲線(xiàn)，實(shí)線(xiàn)為進(jìn)口元件）：
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型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：
型號(hào)/參數(shù) | DInGaAs1600 | DInGaAs1650 | DInGaAs1700-R03M | DInGaAs1700 | DInGaAs2600 |
光敏面直徑（mm） | 1.5 | 5 | 3 | 5 | 3 |
波長(zhǎng)范圍（nm） | 900-1600 | 900-1650 | 800-1700 | 800-1700 | 800-2600 |
峰值響應(yīng)度（A/W, 小） | 0.85 | 0.85 | 0.9 | 0.95 | 1.1 |
暗電流（nA, 大） | 0.1 | 200 | 100 | 10μA | 1mA |
D*（典型值） | - | - | 2.3×1012 | 9.6×1011 | 4.1×1010 |
NEP（典型值） | - | - | 1.2×10-13 | 2.8×10-13 | 6.5×10-12 |
阻抗（MΩ） | 30 | 1 | 1.5 | 50kΩ | 320Ω |
電容（pF） | 80 | 1500 | 800 | - | 9000 |
響應(yīng)時(shí)間（ns） | 8 | 160 | 100 | 300 | 1μs |
信號(hào)輸出模式 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 |
輸出信號(hào)性 | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） |
■ TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）
——TE制冷型近紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：0.8-2.6μm
TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs（x）-TE具有相同的外觀(guān)設(shè)計(jì)，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進(jìn)口二級(jí)TE制冷銦鎵砷探測(cè)元件，光譜響應(yīng)曲線(xiàn)參考圖如下：
型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：
型號(hào)/參數(shù) | DInGaAs1700-TE | DInGaAs1900-TE | DInGaAs2200-TE | DInGaAs2400-TE | DInGaAs2600-TE |
光敏面直徑（mm） | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
波長(zhǎng)范圍（nm） | 800-1700 | 800-1900 | 800-2200 | 800-2400 | 800-2600 |
峰值響應(yīng)度（A/W） | 0.9 | 1 | 1.1 | 1.15 | 1.2 |
D*（典型值） | 8.4×1013 | 9.1×1012 | 1.9×1012 | 9.6×1011 | 4.9×1011 |
NEP（典型值） | 3.2×10-15 | 2.9×10-14 | 1.4×10-13 | 2.8×10-13 | 5.5×10-13 |
溫控器型號(hào) | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC |
探測(cè)器溫度（℃） | -40 | -40 | -40 | -40 | -40 |
溫度穩(wěn)定度（℃） | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 |
環(huán)境溫度（℃） | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 |
信號(hào)輸出模式 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 |
輸出信號(hào)性 | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） |
備注 | 制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC） 推薦使用前置放大器型號(hào)：ZPA-7 | ||||
銦鎵砷探測(cè)器使用建議：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZPA-7（Page85）做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)；標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)，在制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）進(jìn)行降溫控制；
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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