上海天比高電氣科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第1年

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  • SiC MOSFET DIE芯片

    SiC MOSFET DIE芯片是第三代半導(dǎo)體核心裸器件，延續(xù) SiC 優(yōu)勢(shì)：導(dǎo)通損耗降 50%+、開(kāi)關(guān)速度提 3 倍，耐溫 - 55℃~225℃，耐壓 650...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 10:01:45 對(duì)比
    SiC MOSFET DIE芯片SiC MOSFETDIE芯片半導(dǎo)體
  • SiC MOSFET芯片

    SiC MOSFET芯片是第三代半導(dǎo)體核心器件，相比硅基 IGBT，導(dǎo)通損耗降 50%+、開(kāi)關(guān)速度提 3 倍，耐溫 - 55℃~225℃，耐壓 650V~15k...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 9:47:43 對(duì)比
    SiC MOSFET芯片SiC MOSFET芯片半導(dǎo)體
  • IGBT/FRD DIE芯片

    IGBT/FRD DIE芯片是電力電子核心裸片，集成 IGBT 電壓控制與高電流特性、FRD 快恢復(fù)優(yōu)勢(shì)。具備低導(dǎo)通損耗（IGBT 飽和電壓≤1.8V）、FRD...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 9:34:55 對(duì)比
    IGBT/FRD DIE半導(dǎo)體IGBTFRDDIE
  • IGBT/FRD芯片

    IGBT/FRD芯片IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是電壓驅(qū)動(dòng)的全控型功率器件，兼具高頻與大功率控制優(yōu)勢(shì)；FRD（快恢復(fù)二極管）以快速反向恢復(fù)特性見(jiàn)長(zhǎng)，為 IGB...

    型號(hào)： 所在地：上海市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/10/15 9:12:09 對(duì)比
    IGBT/FRD芯片芯片半導(dǎo)體IGBTFRD
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