等離子體清洗好處，等離子體清洗與其它清洗方式對(duì)比表

應(yīng)用用途和特性

低壓等離子體的優(yōu)點(diǎn)

低壓等離子體的缺點(diǎn)

常壓等離子體的優(yōu)點(diǎn)

常壓等離子體的缺點(diǎn)

普通的等離子體生成

在等離子腔體室中均勻分布等離子體，腔室體積可變

復(fù)雜的真空技術(shù)，在線等離子處理應(yīng)用受到一定的限制

可以直接在輸送帶上進(jìn)行等離子處理，適用于在線處理，無(wú)需任何真空技術(shù)

由于等離子體激發(fā)原理的原因，等離子處理痕跡有限，處理較大的對(duì)象的時(shí)候，必須使用多個(gè)噴嘴

對(duì)金屬進(jìn)行處理

可對(duì)易氧化的對(duì)象進(jìn)行等離子清洗

進(jìn)行微波激發(fā)的時(shí)候，對(duì)象上可能會(huì)相應(yīng)產(chǎn)生能量，這會(huì)造成對(duì)象過(guò)熱

對(duì)鋁進(jìn)行等離子處理的時(shí)候，可以生成很薄的氧化層

對(duì)易氧化的對(duì)象進(jìn)行等離子清洗，受到一定的限制

對(duì)聚合物彈性體進(jìn)行處理

無(wú)法對(duì)PTFE進(jìn)行等離子活化處理，蝕刻工藝，為彈性密封件和PTFE密封件研發(fā)了很好的等離子工藝，并得到了應(yīng)用

某些材料需要用到較大型的泵，以便達(dá)到必須的工藝壓力

無(wú)法對(duì)連續(xù)型對(duì)象進(jìn)行預(yù)處理，工藝時(shí)間很短

等離子射流的溫度為約 200 - 300 °C。必須對(duì)表面的工藝溫度進(jìn)行很好的調(diào)節(jié)，以防止著火（很薄的材料）

3D對(duì)象

對(duì)等離子體腔室中的所有對(duì)象進(jìn)行均勻處理。即使是中空腔室也可以從內(nèi)部進(jìn)行處理（例如，點(diǎn)火線圈、水箱等）

未知

可進(jìn)行局部表面處理（例如，粘結(jié)槽口）

需要使用復(fù)雜的多關(guān)節(jié)型機(jī)器人技術(shù)。常壓等離子體的間隙滲透性受到一定的限制

散裝部件

通過(guò)轉(zhuǎn)鼓法可以對(duì)散裝部件進(jìn)行均勻的等離子處理。零部件的件數(shù)和體積可以有所不同

其僅能夠使用轉(zhuǎn)鼓的 1/3 體積（建議）

可以直接在輸送帶上處理對(duì)象

對(duì)象必須極為的定位在輸送帶上

電子，半導(dǎo)體技術(shù)

借助低壓等離子體對(duì)電子元件、電路板和半導(dǎo)體部件進(jìn)行等離子處理是先進(jìn)的技術(shù)。

未知

金屬或者 ITO 觸點(diǎn)可在粘接處理之前進(jìn)行等離子預(yù)處理（例如，LCD、TFT 和芯片的生產(chǎn)）

涂層工藝

生成均勻的涂層。研發(fā)了很多 PECVD 和 PVD 工藝，并得到了應(yīng)用

可能會(huì)造成等離子體腔室的污染

具有很多的工業(yè)用途

尚不具有任何的工業(yè)用途