HMDS處理系統(tǒng)的藥液泄漏處理方法

HMDS真空烘箱，HMDS處理系統(tǒng)中HMDS泄漏處理方法

1.在污染區(qū)尚未*清理干凈前，限制人員接近該區(qū)。

2.確定清理工作是由受過訓(xùn)練的人員負(fù)責(zé)。

3.穿戴適當(dāng)?shù)膫€(gè)人防護(hù)裝備.

4.對(duì)該區(qū)域進(jìn)行通風(fēng)換氣。

環(huán)境注意事項(xiàng)：抽氣通風(fēng)，移走撤離關(guān)閉所有可能之熱源、火星、火花與火焰等之引火源與點(diǎn)火裝置，若大量泄漏時(shí)先將泄漏區(qū)圍堵避免擴(kuò)散。

HMDS清理方法：

少量泄漏時(shí)：以惰性吸收/吸附材料吸取泄漏物。

大量泄漏時(shí)：將泄漏區(qū)域圍堵，小心地道引將泄漏物抽取回收集桶。

超泓HMDS真空烘箱，HMDS處理系統(tǒng)主要用途：

  在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到半導(dǎo)體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。

HMDS真空烘箱，HMDS處理系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：

電源電壓：AC 220V±10%/50Hz±2%

輸入功率：2200W

溫度范圍：RT+10℃-250℃

溫度分辨率：0.1℃

溫度波動(dòng)度：±1℃

達(dá)到真空度：133Pa（1torr）

工作室尺寸（mm）：450*450*450,550*550*350（可定做）

超泓HMDS真空烘箱，上海超泓HMDS處理系統(tǒng)特點(diǎn)：

1、預(yù)處理性能更好

2、處理更加均勻

3、效率高

4、更加節(jié)省藥液

5、更加環(huán)保和安全  

6、高安全保護(hù)性能

a.低液報(bào)警裝置

b.可自動(dòng)吸取HMDS功能，

c.可自動(dòng)添加HMDS功能，

d.HMDS藥液泄漏報(bào)警功能，

HMDS安全處置與儲(chǔ)存方法：

處置：HMDS易產(chǎn)生靜電，搬運(yùn)時(shí)將所有設(shè)備與容器適當(dāng)接地，并須固定牢固，避免吸入蒸氣及接觸眼睛與皮膚。

存儲(chǔ)：置于陰涼、干燥、通風(fēng)處、緊蓋容器，遠(yuǎn)離各種可能之熱源、火星、火花與火焰等之引火源與點(diǎn)火裝置，避免吸入蒸氣及接觸眼睛與皮膚。