近紅外加熱爐的產(chǎn)品特點與應(yīng)用

   目前高溫加熱大都為管式爐或馬弗爐，原理為加熱絲或硅碳棒對爐體加熱，加熱與降溫速度慢，效率低下，也無法實現(xiàn)溫度的測量，加熱區(qū)域也存在不均勻的現(xiàn)象，華測儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實現(xiàn)，高反射率的拋物面與高質(zhì)量的加熱源相配置，在高速加熱高速冷卻時，具有良好的溫度分布?？蓪崿F(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，用石英管保護加熱式樣，無氣氛污染?？稍诟哒婵眨叱黾兌葰怏w中加熱。設(shè)備可組成均熱高速加熱爐，溫度斜率爐，階段加熱爐。它提高了加熱試驗能力。同電阻爐和其他爐相比，紅外線反射爐節(jié)省了升溫時間和保持時間及自然冷卻到室溫所需時間，在試驗中也可改寫設(shè)定溫度值。從各方面講，都節(jié)省時間并提高實驗速度。

   同高頻爐相比，不需特殊的安裝條件及對加熱試樣的要求。同電阻爐一樣安裝簡單，有冷卻系統(tǒng)可靠。以提高試驗人員的工作效率，實現(xiàn)全溫度控制操作！

近紅外加熱爐的產(chǎn)品特點：

溫度控制器

溫度控制器采用移相觸發(fā)技術(shù)、控制近紅外爐按設(shè)定的升溫速度進行升溫和降溫?？赏ㄟ^上位機進行不同的升溫速率進行設(shè)定。

制冷循環(huán)機

為實現(xiàn)爐體快速降溫以及提高試驗效率高溫爐配置制冷水循環(huán)系統(tǒng)，同時增設(shè)氣體冷卻裝置，可實現(xiàn)快速冷卻。

近紅外加熱爐的產(chǎn)品應(yīng)用：

電子材料

半導體用硅化合化的PRA（加熱后急速冷卻）

熱源薄膜形成

激活離子注入后

硅化物的形成

陶瓷與無機材料

陶瓷基板退火爐

玻璃基板退火爐

陶瓷張力、撓曲試驗退火爐

鋼鐵和金屬材料

薄鋼板加熱過程的數(shù)值模擬

爐焊接模擬

高真空熱處理（1000℃以下）

大氣氣體熔化過程

壓力下耐火鋼和合金的熱循環(huán)試驗爐

復合材料

耐熱性評價爐

無機復合材料熱循環(huán)試驗爐

其它

高溫材料電試驗爐

分段分區(qū)控制爐

溫度梯度爐

爐氣分析

超導陶瓷退火爐

高溫拉伸壓縮試驗爐