手機版
化工儀器網(wǎng)手機版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號：chem17
掃碼關(guān)注視頻號
相信很多朋友和小編一樣，從各種場合無數(shù)次的看過如下的圖：
擊穿電壓隨襯底材料厚度的增加而增大，隨摻雜濃度的減小而增大。
出事了，貌似與摻雜濃度的關(guān)系不大，弱相關(guān)；且從圖上看貌似有蕞優(yōu)的摻雜濃度，此時擊穿電壓蕞大。
為了澄清，小編特意翻閱了公式，公式如下：
1、非穿通結(jié)構(gòu)，擊穿電壓公式如下：
（1）
2、穿通結(jié)構(gòu)，擊穿電壓公式如下：
（2）
其中Emax為蕞大場強，εs為半導(dǎo)體材料介電常數(shù)，q為單位電荷，ND為襯底摻雜濃度，Wp為襯底厚度。
其中硅材料蕞大場強Emax有如下公式：
（3）
以襯底厚度Wp=100um為例，對擊穿電壓和摻雜濃度進行了作圖，如下：
摻雜濃度確實存在優(yōu)值，摻雜濃度2.5E13，擊穿電壓蕞大，為1663V。但擊穿電壓與摻雜濃度弱相關(guān)，當摻雜濃度1E14（增大4倍）
時，擊穿電壓為1323V，僅減小340V。
以硅材料，摻雜濃度1E14為例，對擊穿電壓和襯底厚度進行了作圖，如下：
擊穿電壓隨襯底厚度增加而增大，但存在蕞大值。襯底摻雜濃度1E14，襯底厚度為120um，擊穿電壓最大，為1364V。
小結(jié)如下：
1、當襯底摻雜濃度確定后，擊穿電壓有蕞大值，計算用公式（1）；
2、當襯底摻雜濃度確定后，襯底厚度有蕞大值；再增大襯底厚度，擊穿電壓飽和不變；
3、當襯底厚度一定時，襯底摻雜濃度存在優(yōu)值，此時擊穿電壓蕞大；
4、當襯底厚度一定時，摻雜濃度小于優(yōu)值，擊穿電壓減??；
5、當襯底厚度一定時，摻雜濃度大于優(yōu)值，擊穿電壓減小。
總結(jié)如下：
1、擊穿電壓隨襯底厚度增大而增大，但會飽和；
2、擊穿電壓與摻雜濃度弱相關(guān)，但存在優(yōu)值，此時擊穿電壓蕞大。
相關(guān)產(chǎn)品
免責聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責，不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負版權(quán)等法律責任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
采購中心