高壓電容電橋特點技術(shù)參數(shù)

來源：上海康登電氣科技有限公司 2025年01月16日 07:55

高壓電容電橋特點技術(shù)參數(shù)

高壓電容電橋是本公司推出的新一代高壓電橋,主要用于測量高壓工業(yè)絕緣介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路,主要可以測量電容器，互感器，變壓器，各種電工絕緣油及各種絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗（tgδ）和電容量（C）及介電常數(shù)(ε).符合GB-5654.1409.1693

二、電橋特點

1、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指零儀，外圍接線極少。

2、電橋采用接觸電阻小，機械壽命長的十進開關(guān)，保證測量的穩(wěn)定性。

3、儀器具有雙屏蔽，能有效防止外部電磁場的干擾。

4、儀器內(nèi)部電阻及電容元件經(jīng)特殊老化處理，使儀器技術(shù)性能穩(wěn)定可靠。

5、儀器內(nèi)置100pF標(biāo)準(zhǔn)電容器及5000V數(shù)字式高壓測試電源。可按客戶要求增設(shè)外接線路接口，可在外接標(biāo)準(zhǔn)電容時在更高的電壓狀態(tài)下工作。

三、技術(shù)指標(biāo)

1、測量范圍及誤差

本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。

在Cn=100 pF R4=3183.2（Ω）時

測量項目	測量范圍	測量誤差
電容量Cx	40pF—20000pF	±0.5% Cx±2pF
介損損耗tgδ	0-1	±1.0% tgδx±0.00005

在Cn=100 pF R4=318.3（Ω）時

測量項目	測量范圍	測量誤差
電容量Cx	4pF—2000pF	±0.5% Cx±3pF
介損損耗tgδ	0-0.1	±1.0% tgδx±0.00005

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