濕法清洗主要是去除什么氣體的

濕法清洗主要用于去除工件表面或環(huán)境中的顆粒污染物、有機物、金屬殘留、氧化物等，而非直接針對氣體。但在半導體制造、光伏等高潔凈度要求的領域，濕法清洗可能間接涉及去除某些氣態(tài)污染物或抑制氣體相關的污染問題，例如：

1. 直接去除的污染物（非氣體）

顆粒污染物：如灰塵、硅片切割殘留的微顆粒、光刻膠殘留等；

有機物：光刻膠、助焊劑、油污等有機殘留物；

金屬污染：銅、鋁、鐵等金屬離子或微粒（例如在半導體制程中，金屬污染可能導致器件失效）；

氧化物：如硅片表面的自然氧化層（SiO?）、金屬氧化膜等。

2. 與氣體相關的間接作用

去除吸附在表面的氣體分子：
某些工藝氣體（如氧氣、氮氧化物）可能吸附在工件表面，形成化學吸附層。濕法清洗通過化學反應或物理沖刷，可去除這些吸附的氣體分子或其反應產(chǎn)物。

抑制氣態(tài)副產(chǎn)物的產(chǎn)生：
在清洗過程中，清洗液可能與表面物質(zhì)反應生成揮發(fā)性氣體（如酸霧、氫氣等）。通過濕法清洗的液體環(huán)境，可有效抑制這些氣態(tài)副產(chǎn)物的釋放或擴散。

清除氣態(tài)污染物的前驅(qū)體：
例如，在半導體制造中，濕法清洗可去除光刻膠中的有機成分，避免后續(xù)高溫工藝中有機成分揮發(fā)形成氣態(tài)污染物（如碳氧化物、揮發(fā)性有機物VOCs）。

3. 典型應用場景

半導體制程：
濕法清洗用于去除光刻、蝕刻、沉積等工藝后的表面殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物），防止這些污染物在后續(xù)高溫步驟中揮發(fā)成氣態(tài)雜質(zhì)，影響薄膜生長或器件性能。

光伏電池片清洗：
去除硅片表面的油污、金屬顆粒等，避免在燒結(jié)或鍍膜過程中產(chǎn)生氣態(tài)污染或缺陷。

濕法清洗的核心目標是去除表面固態(tài)或液態(tài)污染物，而非直接針對氣體。但在高精密制造中，它通過清潔表面間接減少了氣態(tài)污染物的產(chǎn)生風險，例如抑制揮發(fā)性有機物（VOCs）的釋放或防止吸附氣體對工藝造成影響。如需針對特定氣體（如惰性氣體、腐蝕性氣體）的處理，通常需要結(jié)合其他技術（如真空系統(tǒng)、氣體凈化裝置等）。