微納加工領(lǐng)域的無掩模光刻技術(shù)研究

光刻作為一種精密微納表面加工技術(shù)，已廣泛應(yīng)用于微電子學(xué)、二元光學(xué)、光子晶體、集成電路和納米技術(shù)等領(lǐng)域。極紫外光刻是人類所能達(dá)到的精度最Z高的復(fù)雜結(jié)構(gòu)微加工技術(shù)之一，但是隨著微加工特征尺寸的不斷縮小，掩模版的造價(jià)變得十分昂貴，制作過程復(fù)雜，且定型后不易更改。因此無掩模光刻技術(shù)在特定場(chǎng)景下優(yōu)勢(shì)顯得尤其重要。

無掩模光刻技術(shù)通常分為直寫技術(shù)、干涉光刻技術(shù)和數(shù)字掩模光刻技術(shù)等。

直寫技術(shù)

直寫技術(shù)，如激光束直寫、電子束直寫和離子束直寫，雖然避開了掩模制作工藝，但仍存在生產(chǎn)效率低下的致命弱點(diǎn)。

激光束直寫（LDL/DWL）是利用高精度光學(xué)系統(tǒng)將激光束聚焦成幾百納米到幾微米之間的光斑，其分辨率取決于激光波長(zhǎng)和物鏡的數(shù)值孔徑。計(jì)算機(jī)控制工作臺(tái)（或光束）的移動(dòng)，使光斑按照預(yù)設(shè)的圖形路徑掃描涂有光刻膠的基片，進(jìn)行曝光。

激光束直寫工藝示意圖

圖片來源：M. Handrea-Dragan and I. Botiz, “Multifunctional Structured Platforms: From Patterning of Polymer-Based Films to Their Subsequent Filling with Various Nanomaterials,” Polymers, vol. 13, no. 3, p. 445, Jan. 2021.

電子束直寫（EBL）技術(shù)利用電磁透鏡將電子束聚焦成納米尺度的束斑，通過計(jì)算機(jī)控制的電磁偏轉(zhuǎn)線圈引導(dǎo)電子束在光刻膠表面掃描曝光。對(duì)電子敏感的光刻膠（電子膠）在受到電子轟擊后會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。

電子束直寫工藝示意圖

圖片來源：A. Pimpin and W. Srituravanich, “Review on Micro- and Nanolithography Techniques and their Applications,” Engineering Journal, vol. 16, no. 1, pp. 37–56, Jan. 2012.

該技術(shù)分辨率極J高，是目前分辨率最Z高的光刻技術(shù)之一，可達(dá)幾納米級(jí)別。這是因?yàn)殡娮拥?span style="font-family: 宋體; font-weight: bold;">德布羅意波長(zhǎng)極短（在加速電壓下可達(dá)皮米級(jí)）。

離子束直寫技術(shù)與電子束直寫類似，但使用聚焦的離子束（通常是鎵離子）代替電子束。離子束與光刻膠或基片材料的相互作用更強(qiáng)。

干涉光刻技術(shù)

激光束主要具有三個(gè)方面的特點(diǎn)，單色性好、單位面積輻射功率極J高和方向性極J好，因此將激光束分成兩束或者多束進(jìn)行干涉疊加，在空間可形成不同的干涉圖樣，這種干涉圖樣起到掩模的作用，在涂有光刻膠的薄膜表面進(jìn)行曝光，便可產(chǎn)生光柵、孔陣、點(diǎn)陣和柱陣等周期圖形。最后經(jīng)顯影和刻蝕過程，便可獲得薄膜刻蝕圖形。

雙光束干涉光刻示意圖

圖片來源：M. I. Abid, L. Wang, Q. Chen, X. Wang, S. Juodkazis, and H. Sun, “Angle‐multiplexed optical printing of biomimetic hierarchical 3D textures,” Laser & Photonics Reviews, vol. 11, no. 2, Jan. 2017.

干涉光刻圖形的周期大小、光刻深度和形狀，通過選擇激光波長(zhǎng)、相干光束之間夾角的大小和曝光時(shí)間確定，干涉曝光所能加工的圖形最小特征尺寸為激光真空波長(zhǎng)的1/4。

數(shù)字掩模光刻技術(shù)

數(shù)字掩模光刻技術(shù)是基于空間光調(diào)制器的一種光刻技術(shù)，其核心是數(shù)字微鏡器件（DMD，類似于投影儀的芯片），通過計(jì)算機(jī)控制每個(gè)微鏡在“開”和“關(guān)”狀態(tài)之間高速切換的時(shí)間比例（脈寬調(diào)制，PWM），可以精確控制投射到每個(gè)像素點(diǎn)上的光能量（曝光劑量），從而實(shí)現(xiàn)灰度曝光，這是DMD光刻的一大優(yōu)勢(shì)。這是目前非常流行的一種無掩模技術(shù)。

下圖是一種DMD數(shù)字光刻成像原理圖。

DMD數(shù)字光刻成像原理圖

光源發(fā)出的光經(jīng)準(zhǔn)直鏡照射在高反射鏡，而高反射鏡的反射光入射到數(shù)字微鏡表面。數(shù)字微鏡在計(jì)算機(jī)圖像文件信號(hào)的驅(qū)動(dòng)控制下，在空間形成光分布光刻圖像，圖像經(jīng)放大鏡放大并經(jīng)微透鏡陣列濾波后，形成點(diǎn)陣光斑圖像，然后再經(jīng)過縮影透鏡組將點(diǎn)陣光斑圖像投影到光刻膠上。經(jīng)顯影后，便可獲得光刻圖形。還可以通過面曝光和掃描結(jié)合的方式加工大面積圖形。

直寫技術(shù)、干涉光刻技術(shù)與數(shù)字掩模光刻技術(shù)對(duì)比

如何選擇無掩模光刻設(shè)備？

無掩模紫外光刻機(jī)通過其數(shù)字化、高靈活性、快速周轉(zhuǎn)和低成本的核心優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)成為眾多應(yīng)用研究中快速原型制作和中小批量生產(chǎn)的關(guān)鍵工具。它極大地降低了研發(fā)門檻，加速了從創(chuàng)新想法到功能器件的轉(zhuǎn)化過程。

如果你的實(shí)驗(yàn)室或正在考慮引入無掩模光刻機(jī)，可以從以下幾個(gè)方面考量：分辨率和最小線寬：最小特征尺寸的選擇，選擇分辨率優(yōu)于目標(biāo)尺寸的設(shè)備。加工面積/基板尺寸：考慮你通常需要加工的芯片大小以及未來可能的需求。常見有2-8英寸等規(guī)格。對(duì)齊方式與套刻精度：如果你需要制作多層結(jié)構(gòu)的芯片（如集成微電極），高精度的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)至關(guān)重要。光源與灰度能力：如果需要進(jìn)行三維結(jié)構(gòu)加工，務(wù)必選擇支持高灰度等級(jí)（如4096級(jí)）的設(shè)備。軟件易用性：軟件是否支持常見的設(shè)計(jì)文件格式（如GDSII、DXF），操作流程是否簡(jiǎn)潔，對(duì)準(zhǔn)操作是否方便。

托托科技無掩模版紫外光刻機(jī)應(yīng)用案例

無掩模版紫外光刻機(jī)

托托科技研發(fā)的無掩模版紫外光刻機(jī)基于空間光調(diào)制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了數(shù)字掩模光刻。設(shè)備加工精度最Z高可達(dá)300nm，加工速度可達(dá)1200mm2/min，灰度光刻可達(dá)4096階，能夠快速精準(zhǔn)地在光刻材料上構(gòu)建復(fù)雜且多層次變化的微觀結(jié)構(gòu)和圖案。

除步進(jìn)式光刻的科研Academic版，我們還提供掃描式光刻的高速speed版本，支持4m2超大幅面的微納加工，既能滿足前沿科學(xué)研究的需求，也支持產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用與開發(fā)，極J致的靈活性使其成為科學(xué)研究的不B二之選。

隨著技術(shù)的進(jìn)步，例如圖像引導(dǎo)曝光克服鄰近效應(yīng)、更高精度的激光直寫技術(shù)以及多材料集成工藝的發(fā)展，無掩模光刻技術(shù)在微電子學(xué)、二元光學(xué)、光子晶體、集成電路和納米技術(shù)等領(lǐng)域的應(yīng)用深度和廣度還將持續(xù)擴(kuò)展，將繼續(xù)推動(dòng)眾多前沿領(lǐng)域的發(fā)展。