靜電放電模型中的阻容參數(shù)

依據(jù)靜電放電產(chǎn)生原因及其對集成電路放電方式的不同，靜電放電模型可分成以下四類模型：1、人體放電模型(HBM, Human-Body Model)、2、機器放電模型(MM, Machine Model)、3、器件充電模型(CDM, Charged-Device Model)、4、電場感應模型(FIM, Field-Induced Model)。

人體放電模型(HBM, Human-Body Model)

      人體放電模型，是用來模擬帶電的人體與器件接觸產(chǎn)生的靜電放電。人體放電模型的等效電路圖如下：

人體放電模型主要有3種應用場景：

1

2

3

機器放電模型(MM, Machine Model)

      機器放電模型，是指機器(例如機械手臂)本身累積了靜電，當此機器去觸碰到器件時，該靜電便經(jīng)由器件放電。其等效電路圖與人體放電模型類似：

      該模型依據(jù)的ESD標準是JESD22-A115C，因為機器是金屬，其等效電阻為0Ω，等效電容為200pF。由于機器放電模式的等效電阻為0Ω，其放電的過程更短，在幾毫微秒到幾十毫微秒之內(nèi)會有數(shù)安培的瞬間放電電流產(chǎn)生。

器件充電模型(CDM, Charged-Device Model)

      器件充電模型，此放電模式主要模擬半導體器件先因磨擦或其它因素而在器件內(nèi)部累積了靜電，但在靜電累積的過程中器件并未被損傷。此帶有靜電的器件在處理過程中，當其碰觸到接地面時，器件內(nèi)部的靜電便會流出來，而造成了放電的現(xiàn)象。其等效電路如下：

      該模型依據(jù)的ESD標準是JESD22-C101F。半導體因容值相對較小，阻抗也較小，其等效電容為0，等效電阻為1Ω，以此參數(shù)來模擬靜電放電。

電場感應模型(FIM, Field-Induced Model)

      電場感應模型是因電場感應而起的。當器件因輸送帶或其它因素而經(jīng)過一電場時，其相對極性的電荷可能會排放掉，等器件通過電場之后，器件本身便累積了靜電荷，此靜電荷會以類似CDM的模式放電出來。

      我司研制的靜電發(fā)生器，匹配的標準阻容參數(shù)是150pF/330Ω，該阻容參數(shù)符合人體放電模型，滿足IEC 61000-4-2標準的試驗要求。其他的阻容參數(shù)也可根據(jù)需要滿足的試驗標準里的阻容參數(shù)來定制。