PLUTO-MH 等離子體表面處理系統(tǒng)（實(shí)驗(yàn)平臺(tái)）

PLUTO-MH等離子體表面處理系統(tǒng)(實(shí)驗(yàn)平臺(tái))

PLUTO-MH型等離子體表面處理系統(tǒng)是針對于高校，科學(xué)研究所和企業(yè)實(shí)驗(yàn)室，或者小批量生產(chǎn)的創(chuàng)新性企業(yè)而研發(fā)的創(chuàng)新型實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。我們收集了大量客戶使用信息，分析應(yīng)用需求，將多年設(shè)計(jì)和制造經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用于小型化，多功能的等離子體表面處理設(shè)備。無論是設(shè)計(jì)理念，零配件的選用，都傾注大量精力。

針對用戶不同的需求，我們提供不同功能附件，在獲得常規(guī)性能的同時(shí)，擁有表面鍍膜（涂層），刻蝕，等離子化學(xué)反應(yīng)，粉體等離子體處理等多種能力。

PLUTO-MH等離子體表面處理系統(tǒng)(實(shí)驗(yàn)平臺(tái))應(yīng)用領(lǐng)域:

配置不同模塊，拓展不同應(yīng)用

加熱電極模塊-溫度可控，可以加速等離子體處理速度和*大提高樣品處理的均勻性

沉積鍍膜模塊，改變表面特性：

沉積CF材料，樣品表面可以具有憎水的特性

沉積含苯材料，樣品表面起到絕緣防水的特性

沉積含有羥基的材料，提高樣品表面和其他材料的結(jié)合效果

感應(yīng)耦合模塊-感應(yīng)耦合等離子體裝置

氣體混合裝置

可以根據(jù)可以要求進(jìn)行混氣設(shè)計(jì)

氣體純化和反應(yīng)

氣體純化和使用等離子體與相關(guān)材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)

產(chǎn)品參數(shù):

1. 真空腔規(guī)格: 316不銹鋼腔體,直徑210mm*(深)230mm 約4L

2. 電極：兩個(gè)自適應(yīng)平板電極，材質(zhì)T6061鋁合金(可提供特氟龍包覆無孔平板電極,適合需要雙面處理樣品)

3. 電極尺寸：120*135mm 間距20~75mm 可調(diào)(可反轉(zhuǎn))

4. 等離子體發(fā)生器：RF射頻發(fā)生器，頻率：13.56MHz

5. 功率：0-500W連續(xù)可調(diào)，自動(dòng)阻抗匹配,精度1W

6. 氣體控制：針式氣體流量閥，標(biāo)配1路氣體,全不銹鋼管道和連接件

7. 控制方式：4.3寸工業(yè)控制觸摸屏控制軟件功能：界面顯示實(shí)時(shí)工作狀態(tài)，可顯示設(shè)置值與實(shí)際值，便于實(shí)時(shí)控制?？勺杂稍O(shè)置等離子功率，通入氣體時(shí)間多級操作權(quán)限,多種工藝參數(shù)組合控制,手動(dòng)控制和全自動(dòng)控制可選

8. 保護(hù)裝置：一鍵急停保護(hù)按鈕

產(chǎn)品特點(diǎn)：

針對于對等離子體處理有嚴(yán)苛要求的場合中使用。

等離子源才用頻率為13.56MHz射頻發(fā)生器，兼顧物理反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)。

采用500W功率電源，自動(dòng)阻抗匹配，高功率射頻發(fā)生器可應(yīng)對各種實(shí)驗(yàn)要求，保障高能量密度和高處理效率。

高精度真空度控制，適應(yīng)各種處理需求。

316不銹鋼腔體（或者6061鋁合金），全不銹鋼管路和連接件，適用各種氣體（包含腐蝕性氣體）。

4.3寸工業(yè)級觸摸屏，軟件操作方便，多種參數(shù)設(shè)置和工藝組合處理模式。

可增加多種配件，涂覆鍍膜，電極溫度控制，等離子體強(qiáng)度控制，等離子體化學(xué)反應(yīng)等功能（如有特殊應(yīng)用，請咨詢銷售人員）。

根據(jù)用戶需求，提供對應(yīng)等離子體處理方案和定制特殊用途設(shè)備。