鏡面玻璃等離子表面處理機(jī)器

鏡面玻璃等離子表面處理機(jī)器：誠(chéng)峰智造

 真空式等離子處理系統(tǒng)CRF-VPO-8L-S

名稱(chēng)（Name）

真空式等離子處理系統(tǒng)

型號(hào)（Model）

CRF-VPO-8L-S

控制系統(tǒng)（Control system）

PLC+觸摸屏

電源（Power supply）

380V/AC,50/60Hz,3kw

中頻電源功率（MF Power）

600W/13.56MHz

容量（Volume）

80L（Option）

層數(shù)（Electrode of plies）

8（Option）

有效處理面積（Area）

400（L）*300（W）（Option）

氣體通道（Gas）

兩路工作氣體可選： Ar、N2、CF4、O2

產(chǎn)品特點(diǎn)：超大處理空間，提升處理產(chǎn)能，采用PLC+觸摸屏控制系統(tǒng)，有效控制設(shè)備運(yùn)行。

可按照客戶(hù)要求定制設(shè)備腔體容量和層數(shù)，滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。

保養(yǎng)維修成本低，便于客戶(hù)成本控制。

高精度，快響應(yīng)，良好的操控性和兼容性，完善的功能和專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支持。

應(yīng)用范圍：主要適用于生物醫(yī)療行業(yè)，印制線路板行業(yè)，半導(dǎo)體IC領(lǐng)域，硅膠、塑膠、聚合體領(lǐng)域，汽車(chē)電子行業(yè)，航空工業(yè)等。

  直流放電通常是指低頻放電，在不同的氣壓和電流范圍下，由于氣體中的電子數(shù)，碰撞頻率，粒子的擴(kuò)散和傳熱速度的不同，會(huì)出現(xiàn)暗電流區(qū)，輝光放電區(qū)和弧光放電區(qū)。該電流的大小取決于電源負(fù)載特性曲線上相應(yīng)于電阻R1、R2的下降直線和放電特性曲線的交點(diǎn)(工作點(diǎn)A、B、C)。
1、暗電流區(qū)域
電磁場(chǎng)加速電子，使其獲得足夠的能量，通過(guò)與中性分子的碰撞，新產(chǎn)生的電子數(shù)迅速增加，當(dāng)電流達(dá)到10-7~10-5安時(shí)，在陽(yáng)極附近就會(huì)出現(xiàn)非常薄的發(fā)光層。
2、輝光放電區(qū)域
當(dāng)電流再次增加(10-5~10-1安特)時(shí)，陰極就會(huì)在低氣壓條件下，受到離子的轟擊，向陽(yáng)極方向加速運(yùn)動(dòng)，從而放出電子。在陰極附近，存在一個(gè)電位差較大的陰極下降區(qū)域。在電極間的中間部分，是電位梯度較小的正柱區(qū)，其介質(zhì)為非平衡等離子體。
當(dāng)沒(méi)有氣體對(duì)流時(shí)，正柱區(qū)內(nèi)的電子和離子以相同的速度向壁擴(kuò)散，并在壁上組合，釋放能量。在經(jīng)典理論中，電子密度在截面上的分布是貝塞爾函數(shù)的形式。該陽(yáng)極附近存在數(shù)毫米厚的陽(yáng)極位降區(qū)域，其電位差與氣體電離電位差基本相等。
3、電弧放電區(qū)域
在電流超過(guò)10-1安、氣壓也較高時(shí)，正柱區(qū)產(chǎn)生的焦耳熱大于顆粒擴(kuò)散帶向壁內(nèi)的散熱，使正柱區(qū)中心溫度升高，氣體電導(dǎo)率增大，使電流集中在正柱區(qū)中心，形成不穩(wěn)定的收縮。
最終，導(dǎo)電正柱會(huì)縮成一個(gè)具有較高溫度和較高電流密度的電弧，即弧光放電。電流密度為104~106安/厘米，在陰極上形成“陰極斑”，根據(jù)熱電子發(fā)射(熱陰極)或場(chǎng)致發(fā)射(冷陰極)的機(jī)理，放出電子。
陰極上還有“陽(yáng)極斑”。因?yàn)殡娮訉⒆陨淼膭?dòng)能帶入陽(yáng)極，進(jìn)入陽(yáng)極時(shí)又釋放出相當(dāng)于逸出功的能量，加上陽(yáng)極位降區(qū)的熱，使得陽(yáng)極加熱的程度大大高于陰極。
以上便是誠(chéng)峰智造等離子發(fā)生器廠家對(duì)直流放電產(chǎn)生等離子體理論探討，希望對(duì)您有幫助。