Cluster PECVD 高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)

1.  產(chǎn)品概述：

高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積（PECVD）系統(tǒng)是一種先進(jìn)的材料制備技術(shù)，廣泛應(yīng)用于物理學(xué)、化學(xué)、材料科學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)通過(guò)在高真空環(huán)境下利用射頻、微波等能量源將反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)，進(jìn)而在基片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，沉積出所需的薄膜材料。這種技術(shù)具有沉積溫度低、沉積速率快、薄膜質(zhì)量高等優(yōu)點(diǎn)，能夠制備出多種功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。

2 設(shè)備用途/原理：

1. 半導(dǎo)體工業(yè)：用于制備集成電路中的鈍化層、介電層等關(guān)鍵薄膜，提高器件的可靠性和性能。

2. 光伏產(chǎn)業(yè)：在太陽(yáng)能電池制造中，PECVD系統(tǒng)被廣泛應(yīng)用于制備透明導(dǎo)電氧化物（TCO）薄膜、減反射膜等，以提高光電轉(zhuǎn)換效率。

3. 平板顯示：在液晶顯示器（LCD）和有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）等平板顯示器件的制造中，PECVD系統(tǒng)用于制備薄膜晶體管（TFT）的柵極絕緣層、鈍化層等關(guān)鍵薄膜。

4. 微電子與納米技術(shù)：在微納電子器件、納米傳感器等領(lǐng)域，PECVD系統(tǒng)能夠制備出具有優(yōu)異性能的薄膜材料，如抗腐蝕層、絕緣層等。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

1  高真空環(huán)境：PECVD系統(tǒng)通常配備有高真空泵組，以確保反應(yīng)室內(nèi)的真空度達(dá)到較高水平，從而減少雜質(zhì)對(duì)薄膜質(zhì)量的影響。

2  等離子體增強(qiáng)：通過(guò)射頻或微波等能量源將反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子體，使氣體分子高度活化，降低反應(yīng)溫度，提高沉積速率和薄膜質(zhì)量。

3  精確控制：系統(tǒng)配備有精密的控制系統(tǒng)，可以對(duì)反應(yīng)氣體的流量、壓力、溫度以及射頻功率等參數(shù)進(jìn)行精確控制，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜厚度、成分和結(jié)構(gòu)的精確調(diào)控。

4  多功能性：PECVD系統(tǒng)具有廣泛的應(yīng)用范圍，可以制備出多種不同成分和結(jié)構(gòu)的薄膜材料，滿(mǎn)足不同領(lǐng)域的需求。

真空室結(jié)構(gòu):1個(gè)中央傳輸室：蝶形結(jié)構(gòu)；3個(gè)沉積室：方形結(jié)構(gòu)； 1個(gè)進(jìn)樣室：方形結(jié)構(gòu)

真空室尺寸:中央傳輸室：Φ1000×280mm ； 沉積室：260×260×280mm ；進(jìn)樣室：300×300×300mm

限真空度:中央傳輸室：6.67E-4 Pa；沉積室：6.67E-6 Pa ；進(jìn)樣室：6.67 Pa沉積源:設(shè)計(jì)待定

樣品尺寸，溫度:114X114X3mm， 加熱溫度350度，機(jī)械手傳遞樣品

占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:約13米x9米x2.3米（設(shè)計(jì)待定）

電控描述:全自動(dòng)控制

工藝:在80X80mm范圍內(nèi)硅膜的厚度均勻性?xún)?yōu)于±5%

特色參數(shù):共有8路工作氣體