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ELS-BODEN Σ 電子束光刻機

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光刻半導體前道無掩膜

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業(yè)。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司目前已授實用新型權利 29 項,軟件著作權 14 項,是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。

 

 

 

 

 

 

 

 

冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1 產(chǎn)品概述:

    電子束光刻(E-beam Lithography,簡稱EBLEBD)設備,是在電子顯微鏡基礎上發(fā)展起來的一種用于微電路研究和制造的曝光技術。它作為半導體微電子制造及納米科技的關鍵設備,主要通過高能量電子束與光刻膠的相互作用,實現(xiàn)高精度的曝光和圖形制作。電子束光刻設備主要包括電子光學系統(tǒng)、圖形發(fā)生器系統(tǒng)、真空系統(tǒng)以及高精度運動系統(tǒng)等核心組件。

2 設備用途:

電子束光刻設備具有廣泛的應用領域,主要包括:

  1. 半導體制造:用于制作光刻掩模版,是半導體芯片制造中一部分。特別是在EUV光刻機掩模版的制作上,目前只能依賴于電子束光刻技術。

  2. 納米科學技術研究:由于電子束光刻具有的分辨率,它能夠制造出微米甚至亞微米級別的精細結構,因此在納米科技領域有著廣泛的應用。

  3. 集成電路制造:在集成電路的制造過程中,電子束光刻技術用于制作高精度、高密度的芯片結構,提高芯片的性能和可靠性。

3 設備特點

電子束光刻設備具有以下顯著特點:

  1. 高分辨率:相比于傳統(tǒng)光刻技術,電子束光刻技術可以實現(xiàn)更高的分辨率,能夠制造出更精細的圖案和結構。

  2. 高精度:電子束光刻設備具有制造精度,能夠滿足微納加工領域對精度的嚴格要求。

  3. 靈活性:電子束光刻技術可以靈活曝光任意圖形,適應不同形狀和尺寸的加工需求。

  4. 高速度:現(xiàn)代電子束光刻設備已經(jīng)實現(xiàn)了高速、連續(xù)的加工過程,大大提高了生產(chǎn)效率。

  5. 真空環(huán)境:設備中的真空系統(tǒng)提供了穩(wěn)定的真空環(huán)境,消除了空氣對加工過程的干擾,保證了設備的穩(wěn)定性和生產(chǎn)效率。


4
技術參數(shù)和特點:

電子槍

ZrO/W熱場發(fā)射型

加速電壓

50 kV




光束電流

1 nA 800 nA




小光束直徑

D 2.8   nm




標準寫場大小

1000   μm□




/大寫場大小

100 μm

大(選項)3000 μm

掃描頻率

400 MHz

發(fā)射間距

0.2 nm

大試樣尺寸

8” 晶片 / 12” 晶片

大繪圖區(qū)域

200 mm   x 200 mm / 300 mm x 300 mm

輸送機構

單自動加載器

機器人裝載機

Software

elms

束流調(diào)整功能

曝光文件功能

圖案數(shù)據(jù)轉換功能

帳戶管理功能

•Python腳本




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