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CY-PECVD100-1200-Q CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
參考價(jià) | ¥ 60000 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) CY-PECVD100-1200-Q
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/12/17 11:44:27
- 訪問(wèn)次數(shù) 42
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簡(jiǎn)單介紹:
CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域,用于制備各種功能性薄膜,如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導(dǎo)體、光電子、能源、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域都有重要應(yīng)用
詳情介紹:
CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術(shù),通過(guò)在高溫下將氣體反應(yīng)物質(zhì)與基底表面反應(yīng),形成薄膜。
1. 反應(yīng)室溫度:通常在幾百到千度之間,具體取決于所需的反應(yīng)溫度和材料。
2. 反應(yīng)氣體:根據(jù)所需的薄膜材料和結(jié)構(gòu),可以使用不同的反應(yīng)氣體,如氨氣、氫氣、氧氣、二氧化硅等。
3. 壓力范圍:通常在幾百帕到幾千帕之間,具體取決于反應(yīng)物質(zhì)和反應(yīng)條件。
4. 反應(yīng)時(shí)間:根據(jù)所需的薄膜厚度和質(zhì)量,反應(yīng)時(shí)間可以從幾分鐘到幾小時(shí)不等。
5. 基底材料:CVD系統(tǒng)可以用于各種基底材料,如硅、玻璃、金屬等。
6. 應(yīng)用領(lǐng)域:CVD氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域,用于制備各種功能性薄膜,如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導(dǎo)體、光電子、能源、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域都有重要應(yīng)用。
技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) | |
產(chǎn)品型號(hào) | CY-PECVD100-1200-Q | |
頻電源 | 信號(hào)頻率 | 13.56MHz±0.005% |
功率輸出 | 0~300W | |
*大反射功率 | 100W | |
反射功率 | <3W (*大功率時(shí)) | |
功率穩(wěn)定性 | ±0.1% | |
管式爐 | 管子材質(zhì) | 高純石英 |
管子外徑 | 100mm | |
爐膛長(zhǎng)度 | 440mm | |
加熱區(qū)長(zhǎng)度 | 200mm+200mm (雙溫區(qū)) | |
連續(xù)工作溫度 | ≦1100℃ | |
溫控精度 | ±1℃ | |
溫控模式 | 30段程序控溫 | |
顯示模式 | LCD觸摸屏 | |
密封方式 | 304 不銹鋼真空法蘭 | |
供氣系統(tǒng) | 通道數(shù) | 6通道 |
測(cè)量單元 | 質(zhì)量流量計(jì) | |
測(cè)量范圍 | A 通道: 0~200SCCM, 氣體為H2 | |
B 通道: 0~200SCCM,氣體為CH4 | ||
C 通道: 0~200SCCM,氣體為 C2H4 | ||
D通道: 0~500SCCM,氣體為 N2 | ||
E通道: 0~500SCCM,氣體為 NH3 | ||
F通道: 0~500SCCM, 氣體為 Ar | ||
測(cè)量精度 | ±1.5%F.S | |
工作壓差 | -0.15Mpa~0.15Mpa | |
接頭規(guī)格 | 1/4" 卡套接頭 | |
氣體混合罐 | 1L | |
真空系統(tǒng) | 機(jī)械泵 | 雙極旋片泵 |
抽速 | 1.1L/S | |
真空測(cè)量 | 電阻規(guī) | |
極限真空 | 0.1Pa | |
抽氣接口 | KF16 | |
滑 軌 | 爐體可以滑動(dòng),實(shí)現(xiàn)快速降溫 | |
供電電源 | AC220V 50Hz |