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車規(guī)級IGBT/SiC MOSFET模塊 D3
具體成交價以合同協(xié)議為準
- 公司名稱 上海天比高電氣科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2025/10/16 9:17:41
- 訪問次數(shù) 33
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| 價格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子/電池,汽車及零部件,電氣 |
|---|
一、產(chǎn)品性能
車規(guī)級IGBT/SiC MOSFET模塊 D3聚焦車載嚴苛需求，性能兼具高效與高可靠性：采用 IGBT 與 SiC MOSFET 雙芯兼容設(shè)計，SiC 版本導(dǎo)通損耗比傳統(tǒng) IGBT 低 40%，開關(guān)速度提升 3 倍，適配車載高頻功率變換；通過 AEC-Q101 車規(guī)認證，耐溫范圍覆蓋 - 40℃~175℃，可耐受 - 40℃~150℃冷熱沖擊循環(huán)，抗振動等級達 ISO 16750-3 標準；集成車規(guī)級 FRD，反向恢復(fù)損耗低，電磁干擾（EMI）比普通模塊降低 15%，無需額外濾波元件即可滿足車載 EMC 要求，適配新能源汽車復(fù)雜電氣環(huán)境。
二、核心參數(shù)
關(guān)鍵參數(shù)精準匹配車載場景：電壓覆蓋 650V（低壓車載電源）~1200V（高壓牽引系統(tǒng)），SiC 版本支持 800V 高壓平臺；額定電流 20A~100A，脈沖電流達額定值 2.5 倍，應(yīng)對車載短時過載；IGBT 版本 Vce (sat)≤1.7V，SiC 版本 RDS (on)≤10mΩ，能量損耗低；熱阻（Rth (j-c)）低至 0.6℃/W，搭配車載水冷系統(tǒng)可快速散熱；隔離電壓達 3000Vrms，滿足車載高壓安全要求；柵極控制電壓范圍 ±20V，兼容主流車載 MCU 驅(qū)動信號，響應(yīng)延遲≤50ns，確保功率變換精準同步。
三、型號定位
型號體系圍繞車載特性設(shè)計，選型清晰：基礎(chǔ)命名邏輯為 “車規(guī)模塊類型 + D3 + 電壓 + 電流 + 芯片類型”，如 “Auto-D3-650V-50A-IGBT” 代表 650V/50A IGBT 版本，“Auto-D3-1200V-80A-SiC” 代表 1200V/80A SiC 版本；后綴標注封裝與認證，如 “Auto-D3-800V-60A-SiC-H” 中 “H” 代表高功率密度封裝，“A” 代表滿足功能安全 ASIL-B 要求。車規(guī)級IGBT/SiC MOSFET模塊 D3型號無冗余信息，可快速識別芯片類型、電壓電流及安全等級，適配不同新能源汽車功率架構(gòu)需求。
四、適用用途
廣泛應(yīng)用于新能源汽車核心系統(tǒng)：車載牽引逆變器中，SiC 版本支撐 800V 平臺電機驅(qū)動，提升整車續(xù)航 15%~20%；車載充電機（OBC）中，IGBT 版本實現(xiàn) 220V/380V 交流轉(zhuǎn)直流，充電效率超 96%；DC/DC 轉(zhuǎn)換器中，雙芯兼容版本完成高壓電池（300V~800V）轉(zhuǎn)低壓（12V/24V），為車載電子設(shè)備供電；此外，還用于電池管理系統(tǒng)（BMS）高壓采樣、車載空調(diào)壓縮機驅(qū)動，是新能源汽車高壓配電系統(tǒng)的核心功率器件，適配純電動、混動等多種車型。
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