Wafer溫度實(shí)時(shí)檢測(cè)裝置
- 公司名稱 巨力科技有限公司
- 品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2017/7/21 11:14:48
- 訪問次數(shù) 992
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可控環(huán)境型微納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng),超納米壓痕儀,納米壓痕儀,動(dòng)態(tài)超顯微硬度計(jì),超顯微硬度計(jì),納米硬度計(jì),納米劃痕儀,顯微劃痕儀,大載荷劃痕儀,納米摩擦儀,摩擦儀,摩擦試驗(yàn)機(jī),高溫摩擦試驗(yàn)機(jī),真空摩擦試驗(yàn)機(jī),膜厚儀,球磨儀,高精度臺(tái)階儀,三維微納米輪廓儀,原子力顯微鏡，薄膜應(yīng)力測(cè)量?jī)x，全息顯微鏡，激光測(cè)振儀，激光干涉儀，激光測(cè)速儀，光譜型橢偏儀，掃描霍爾探針顯微鏡，精密d33測(cè)試儀，薄膜d33測(cè)試儀，高溫介電測(cè)量系統(tǒng)，表面等離子體共振儀，激光拉曼顯微鏡PCT測(cè)試儀，碳納米制備系統(tǒng)，原子層沉積系統(tǒng)，電子束蒸發(fā)系統(tǒng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)磁控濺射系統(tǒng)分子束外延系統(tǒng) MBE有機(jī)分子束沉積 OMBD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng) PECVD電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 ECR-PECVD低能離子減薄儀，離子減薄儀，拋光機(jī)，精密切片機(jī)，微熱臺(tái)
| 技術(shù)參數(shù)
zui大溫度范圍：室溫~1300攝氏度； 溫度重復(fù)性：0.2攝氏度； 溫度分辨率：0.1攝氏度； 穩(wěn)定性：+/-0.2攝氏度； | ||
| 主要特點(diǎn)
＊實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵、直接的Wafer溫度精確檢測(cè)； ＊Wafer表面2D溫度Mapping； ＊zui真實(shí)的Wafer表面或薄膜溫度檢測(cè)； ＊沉積速率分析； ＊測(cè)量激光波長(zhǎng)范圍可選（例如：可見光波段、近紅外波段等） ＊避免了發(fā)射率變化對(duì)測(cè)量的影響； ＊無需沉積設(shè)備Viewport特殊涂層； | ||
*的半導(dǎo)體溫度測(cè)量裝置，對(duì)Wafer（及薄膜）表面溫度實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵、zui直接的檢測(cè)；采用溫度和半導(dǎo)體材料對(duì)光的吸收邊沿（頻帶能量）相關(guān)性原理，即材料的本征特性，使得測(cè)量結(jié)果更為準(zhǔn)確；可裝載到MBE、MOCVD、濺射、蒸發(fā)系統(tǒng)等和熱處理、退火設(shè)備上，進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度檢測(cè)。 | ||
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