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目錄:孚光精儀(中國)有限公司>>半導(dǎo)體微電子設(shè)備>>等離子體處理>> FPANR-AT410ALD系統(tǒng),原子層沉積設(shè)備

ALD系統(tǒng),原子層沉積設(shè)備
  • ALD系統(tǒng),原子層沉積設(shè)備
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 孚光精儀
  • 型號(hào) FPANR-AT410
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 上海市
屬性

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更新時(shí)間:2024-12-20 11:07:11瀏覽次數(shù):531評(píng)價(jià)

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ALD系統(tǒng)AT410提供了用于3D樣品制備的共形導(dǎo)電薄膜解決方案,同時(shí)還提供了目前使用濺射/蒸發(fā)生長的傳統(tǒng)2D涂層。

ALD系統(tǒng)AT410提供了用于3D樣品制備的共形導(dǎo)電薄膜解決方案,同時(shí)還提供了目前使用濺射/蒸發(fā)生長的傳統(tǒng)2D涂層。ALD系統(tǒng)AT410不僅推動(dòng)了邊界,而且是當(dāng)前樣品制備過程的有效替代品,所有樣品制備都在可比價(jià)格點(diǎn)的臺(tái)式配置內(nèi)。
用于電子顯微鏡的樣品通常受益于添加薄膜。它通常是導(dǎo)電材料,如Pt、Pd或Au。這些導(dǎo)電層有助于抑制充電,減少局部束加熱造成的熱損傷,并改善二次電子信號(hào)。傳統(tǒng)上,這些薄膜是使用PVD技術(shù)生長的。隨著技術(shù)的進(jìn)步,某些類型的樣品不適用于PVD,因?yàn)樾枰繉拥奶卣鞑贿m用于現(xiàn)場生長線。
研究人員將受益于獲得通過ALD生長的導(dǎo)電薄膜,因?yàn)橐呀?jīng)開發(fā)了一種優(yōu)化小樣本導(dǎo)電金屬生長的系統(tǒng)。
ALD系統(tǒng)AT410特點(diǎn)
適合4''樣品
壓力可控0.1-1.5TORR
滿足小樣品鍍膜需要
7''觸摸屏 PLC控制系統(tǒng)
精密以規(guī)定劑量體積給料系統(tǒng)
所有金屬密閉系統(tǒng)
ALD系統(tǒng)AT410規(guī)格參數(shù)
腔體溫度范圍:室溫~325℃± 1 °C
Precursor前體溫度:室溫RT~150 °C ± 2 °C
流線型腔室設(shè)計(jì),腔室體積小
快速循環(huán)能力(高達(dá)1.2nm/min Al2O3)和高曝光、深穿透處理
ALD系統(tǒng)AT410可沉積材料

MATERIAL CLASSSTANDARD RECIPESRECIPES IN DEVELOPMENTSYSTEM CAPABLE MATERIALS
Oxides (AxOy)Al, Si, Ti, Zn, Zr, HfV, Y, Ru, In, Sn, PtLi, Be, Mg, Ca, Sc, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ga, Sr Nb, Rh, Pd, Sn, Ba, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd
Elementals (A)Ru, Pd, Pt, Ni, CoRh, Os, IrFe, Cu, Mo
Nitrides (AxNy)Zr, Hf, WTi, TaCu, Ga, Nb, Mo, In
Sulfides (AxSy)

Ca, Ti, Mn, Cu, Zn, Sr, y, Cd, In, Sn, Sb, Ba, La, W
Other CompoundsAZO (AL:ZnO), AxSiyOz ()A=Al, Zr, HfYSZ (yttria stabilized sirconia) ITOMany others




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