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技術(shù)文章
RJ啟動調(diào)整電阻器按材料分類介紹
點(diǎn)擊次數(shù)：3717 發(fā)布時間：2016-4-21
RJ啟動調(diào)整電阻器在日常生活中一般直接稱為電阻。是一個限流元件，將電阻接在電路中后，RJ啟動調(diào)整電阻器的阻值是固定的一般是兩個引腳，它可限制通過它所連支路的電流大小。阻值不能改變的稱為固定電阻器。阻值可變的稱為電位器或可變電阻器。理想的電阻器是線性的，即通過電阻器的瞬時電流與外加瞬時電壓成正比。用于分壓的可變電阻器。在裸露的電阻體上，緊壓著一至兩個可移金屬觸點(diǎn)。觸點(diǎn)位置確定電阻體任一端與觸點(diǎn)間的阻值。
1885年英國C.布雷德利發(fā)明模壓碳質(zhì)實(shí)芯電阻器。1897年英國T.甘布里爾和A.哈里斯用含碳墨汁制成碳膜電阻器。1913～1919年英國W.斯旺和德國F.克魯格先后發(fā)明金屬膜電阻器。1925年德國西門子-哈爾斯克公司發(fā)明熱分解碳膜電阻器，打破了碳質(zhì)實(shí)芯電阻器壟斷市場的局面。晶體管問世后，對電阻器的小型化、阻值穩(wěn)定性等指標(biāo)要求更嚴(yán)，促進(jìn)了各類新型電阻器的發(fā)展。美國貝爾實(shí)驗(yàn)室1959年研制成 TaN電阻器。60年代以來，采用滾筒磁控濺射、激光阻值微調(diào)等新工藝，部分產(chǎn)品向平面化、集成化、微型化及片狀化方面發(fā)展。
RJ啟動調(diào)整電阻器按材料分類
a、線繞電阻器由電阻線繞成電阻器 用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成，外面涂有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。繞線電阻具有較低的溫度系數(shù)，阻值精度高，穩(wěn)定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點(diǎn)是高頻性能差，時間常數(shù)大。
b、碳合成電阻器由碳及合成塑膠壓制成而成。
c、碳膜電阻器在瓷管上鍍上一層碳而成，將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低，是目前應(yīng)用zui廣泛的電阻器。
d、金屬膜電阻器在瓷管上鍍上一層金屬而成，用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。
金屬膜電阻比碳膜電阻的精度高，穩(wěn)定性好，噪聲，溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大量采用。
e、金屬氧化膜電阻器在瓷管上鍍上一層氧化錫而成，在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高溫下穩(wěn)定，耐熱沖擊，負(fù)載能力強(qiáng) 按用途分，有通用、精密、高頻、高壓、高阻、大功率和電阻網(wǎng)絡(luò)等。
1885年英國C.布雷德利發(fā)明模壓碳質(zhì)實(shí)芯電阻器。1897年英國T.甘布里爾和A.哈里斯用含碳墨汁制成碳膜電阻器。1913～1919年英國W.斯旺和德國F.克魯格先后發(fā)明金屬膜電阻器。1925年德國西門子-哈爾斯克公司發(fā)明熱分解碳膜電阻器，打破了碳質(zhì)實(shí)芯電阻器壟斷市場的局面。晶體管問世后，對電阻器的小型化、阻值穩(wěn)定性等指標(biāo)要求更嚴(yán)，促進(jìn)了各類新型電阻器的發(fā)展。美國貝爾實(shí)驗(yàn)室1959年研制成 TaN電阻器。60年代以來，采用滾筒磁控濺射、激光阻值微調(diào)等新工藝，部分產(chǎn)品向平面化、集成化、微型化及片狀化方面發(fā)展。
RJ啟動調(diào)整電阻器按材料分類
a、線繞電阻器由電阻線繞成電阻器 用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成，外面涂有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。繞線電阻具有較低的溫度系數(shù)，阻值精度高，穩(wěn)定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻使用，缺點(diǎn)是高頻性能差，時間常數(shù)大。
b、碳合成電阻器由碳及合成塑膠壓制成而成。
c、碳膜電阻器在瓷管上鍍上一層碳而成，將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低，是目前應(yīng)用zui廣泛的電阻器。
d、金屬膜電阻器在瓷管上鍍上一層金屬而成，用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。
金屬膜電阻比碳膜電阻的精度高，穩(wěn)定性好，噪聲，溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大量采用。
e、金屬氧化膜電阻器在瓷管上鍍上一層氧化錫而成，在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高溫下穩(wěn)定，耐熱沖擊，負(fù)載能力強(qiáng) 按用途分，有通用、精密、高頻、高壓、高阻、大功率和電阻網(wǎng)絡(luò)等。