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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子,電氣,綜合 |
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產(chǎn)品分類品牌分類
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高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
華測(cè)鐵電分析儀 國(guó)產(chǎn)可定制
華測(cè)鐵電分析儀 國(guó)產(chǎn)可定制應(yīng)用領(lǐng)域：
鐵電存儲(chǔ)器的生產(chǎn)
生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制，以便不會(huì)影響到CMOS生產(chǎn)過程
在MHz的操作速度下，單級(jí)電滯回線數(shù)據(jù)
優(yōu)點(diǎn)：
生產(chǎn)過程的工藝優(yōu)化
在MHz范圍的時(shí)間影響測(cè)試
適用于2T-2C 設(shè)計(jì)和1T-1C設(shè)計(jì)
從模擬測(cè)試數(shù)據(jù)得出內(nèi)存窗口信息
客戶可定制測(cè)試環(huán)境
升級(jí)服務(wù)
客戶支持
程序功能：
可以在單一器件上進(jìn)行電滯回線、PUND脈沖測(cè)試等測(cè)試過程。
上升時(shí)間Z低可實(shí)現(xiàn)1μm，自定義的測(cè)試脈沖可以用于測(cè)試不同類型的失效機(jī)制。預(yù)極化脈沖參數(shù)可以在測(cè)試序列里單獨(dú)設(shè)置。
可以使用Access Time程序進(jìn)行相同脈沖強(qiáng)度下不同幅值相同脈沖寬度或相同脈沖幅值不同脈沖寬度的測(cè)試。
這些測(cè)試是基于技術(shù)：原位寄生電容補(bǔ)償。
特點(diǎn)：
FeRAM測(cè)試儀是用來記錄測(cè)試單元電滯回線的，測(cè)試儀生成所需要的時(shí)間。
如果芯片的布局發(fā)生變化，可以自動(dòng)獲取材料特性較大的陣列。這種情況下，測(cè)試儀是用一個(gè)開關(guān)盒和一個(gè)探針臺(tái)工作的。軟件可以自動(dòng)調(diào)整設(shè)置的參數(shù)。
參數(shù)的統(tǒng)計(jì)評(píng)價(jià)是通過aixPlorer完成的。
FeRAM測(cè)試儀的優(yōu)點(diǎn)就是可以使重要信息流程化，從而提高產(chǎn)量，降低了成本，從而減少了產(chǎn)品上市的時(shí)間。相關(guān)的數(shù)字結(jié)果和模擬實(shí)驗(yàn)提供了重要信息。
FeRAM測(cè)試儀擁有高分辨測(cè)量和速度到微秒的測(cè)量功能。
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