近年來，微電子和計算機技術(shù)飛速發(fā)展，促成了集相控陣信號產(chǎn)生、數(shù)據(jù)處理、顯示和分析等功能于一體的相控陣儀器的發(fā)展。隨著國內(nèi)外（美國ASME、國際標準ISO以及中國GB和NB）相控陣超聲檢測標準的完善，相控陣超聲檢測已廣泛應(yīng)用于海工、船舶、航空航天、石油化工、火電、核電等行業(yè)。

在設(shè)計時，對于海上油氣工廠（FPSO）上建模塊中材料為A790-S31803，規(guī)格為直徑610mm，壁厚46mm的管線環(huán)焊縫，需要進行射線檢測。由于射線具有電離輻射，對檢測人員的人身安全危害嚴重，故在管線合攏組裝的過程中，不能實現(xiàn)射線檢測中心曝光，從而降低了射線檢測效率，影響項目進度。因此，承建方、檢測公司、業(yè)主和監(jiān)造方進行協(xié)商后，建議采用相控陣超聲檢測代替射線檢測進行現(xiàn)場檢測。在實施相控陣超聲檢測前，需要使用帶缺陷的模擬試塊進行校準，以確定檢測結(jié)果的可靠性。

試樣的制作

試樣包括靈敏度對比試塊和用于驗證的人工缺陷模擬試管。

靈敏度對比試塊的制作

按照標準ASME BPVC.V-2019《鍋爐及壓力容器規(guī)范 第V卷 無損檢測》第4章焊縫超聲波檢驗方法中校準試塊的要求，加工了兩種靈敏度對比試塊。

圖1 靈敏度對比試塊實物

如圖1(a)所示，在原材料上加工長橫孔反射體，制作原材料靈敏度對比試塊，用于楔塊延遲的校準。

如圖1(b)所示，按照焊接工藝焊接后進行切割，制作帶有焊縫的長橫孔和刻槽的靈敏度對比試塊，用于靈敏度校準和TCG（時間校正增益）曲線的制作等。

反射體（長橫孔和刻槽）的詳細參數(shù)如下：

原材料對比試塊

試塊編號：PAUT-SS-01

人工反射體類型：長橫孔

長橫孔位置：T/4、T/2、3T/4（T為試件厚度）

長橫孔尺寸：ф3mm×80mm

帶焊縫對比試塊

試塊編號：T027973

人工反射體類型：長橫孔

長橫孔位置：焊縫中心：T/4、T/2、3T/4

長橫孔尺寸：ф3mm×70mm

試塊編號：T027972

人工反射體類型：長橫孔

長橫孔位置：坡口熔合線：T/4、T/2、3T/4

長橫孔尺寸：ф3mm×70mm

人工反射體類型：刻槽

刻槽位置：焊縫上表面

刻槽尺寸：70mm×1mm×2mm

試塊編號：T027974

人工反射體類型：刻槽

刻槽位置：焊縫下表面

刻槽尺寸：70mm×1mm×2mm

模擬試管的制作

人工缺陷模擬試管采用切除對比試塊后的余料制作，依據(jù)ASME BPVC.V-2019第4章強制性附錄IX中對于缺陷定量和分類的規(guī)程評定要求，確定缺陷的數(shù)量和位置。

為了確定單面單側(cè)掃查工藝的可行性，在人工缺陷模擬試管上共制作了兩組人工缺陷共6個，分別為上表面缺陷2個、內(nèi)部缺陷3個以及根部缺陷1個，人工缺陷模擬試管實物如圖2所示。

圖2 人工缺陷模擬試管實物

依據(jù)ASME BPVC.V-2019第4章中強制性附錄IX的要求，計算每個缺陷的長度及高度（表面及近表面缺陷按照長高比系數(shù)為0.25計算，焊縫內(nèi)部缺陷按照長高比系數(shù)為0.5計算），人工缺陷模擬試管的結(jié)構(gòu)示意和詳細參數(shù)如下：

圖3 人工模擬缺陷試管結(jié)構(gòu)示意和缺陷參數(shù)（mm）

1

上表面刻槽

長度10，高度2

（垂直上表面）

2

上表面刻槽

長度10，高度2

（平行融合線）

3

焊縫上部未熔合

長度14，高度5，深10

4

焊縫中心夾渣

長度14，高度5，深20

5

焊縫下部未熔合

長度14，高度5，深30

6

根部刻槽

長度10，高度2，深44

人工缺陷模擬試管

上表面和根部缺陷的檢測

探頭

采用奧林巴斯A26線性和A17、A27矩陣相控陣探頭進行檢測，探頭具體參數(shù)如下：

型號：2.25DM7X4-A17

頻率：2.25MHz

晶片數(shù)量：雙晶28（7×4矩陣）

晶片間距：2.71mm

激活孔徑：19mm×12mm

晶片高度：3mm

尺寸：長34mm，寬16mm，高25mm

型號：4DL32-32X12-A26

頻率：4MHz

晶片數(shù)量：雙晶32（線性）

晶片間距：1mm

激活孔徑：32mm×12mm

晶片高度：12mm

尺寸：長48.2mm，寬16.5mm，高26.4mm

型號：4DM16X2-A27

頻率：4MHz

晶片數(shù)量：雙晶32（16×2矩陣）

晶片間距：1mm

激活孔徑：16mm×6mm

晶片高度：3mm

尺寸：長29mm，寬10mm，高20mm

上表面缺陷的檢測

對于上表面刻槽，主要是利用爬波檢測，設(shè)置檢測角度為78°~83°。爬波是縱波從第一種介質(zhì)中以第一臨界角附近（±30′以內(nèi)）的角度進入第二種介質(zhì)時，在第二種介質(zhì)中產(chǎn)生的沿介質(zhì)表面下一定距離，在橫波和表面縱波之間傳播的峰值波。上表面缺陷檢測時，將不同類型的探頭與楔塊進行組合，以觀察檢測效果，其檢測現(xiàn)場示例如圖4所示。

圖4 上表面缺陷的檢測現(xiàn)場示例

將探頭與楔塊組合后，將探頭對準上表面刻槽，前后移動探頭，使最高波幅達到滿屏幕的80%，并記錄此時探頭前沿至上表面刻槽的距離。然后后移探頭，波幅緩慢降低，當(dāng)最高波幅降至滿屏幕的20%時，記錄此時探頭前沿至上表面刻槽的距離，檢測結(jié)果如下：

由上可知，A27+DNCR探頭與楔塊組合所產(chǎn)生波束移動距離最遠，A17+DN55L0組合效果次之，A26+DN55L-FD40-SS組合效果最差。

根部缺陷的檢測

對于根部缺陷，主要利用一次縱波檢測，設(shè)置檢測角度為37°~50°，使根部刻槽信號達到滿屏的80%。儀器和探頭組合后顯示的基準靈敏度：A26探頭的基準靈敏度為36dB；A27探頭的基準靈敏度為61dB；A17探頭的基準靈敏度為51.5dB。

在基準靈敏度下，A26探頭的噪聲信號幅度為5%，A27探頭的噪聲信號幅度約為7%，而A17探頭的噪聲信號幅度約為15%，根部缺陷的檢測結(jié)果如圖5所示。

圖5 根部缺陷的檢測結(jié)果

A26探頭為線性探頭，且晶片尺寸比其他兩種探頭的大，發(fā)射能量大，因此對同一位置的反射體進行檢測時，基準靈敏度低。

A17探頭雖然基準靈敏度低，但是檢測頻率為2.25MHz，導(dǎo)致根部刻槽和根部余高信號融合在一起，成為一個脈沖寬度很寬的脈沖信號，且噪聲信號幅度最高。

檢測結(jié)果表明，根部刻槽的檢測效果A26探頭*，A27探頭次之，A17探頭最差。

從以上檢測結(jié)果可以看出，對人工缺陷試管的上表面缺陷應(yīng)采用A27+DNCR組合進行檢測，而對焊縫根部，應(yīng)采用A26+DN55L-FD40-SS組合進行檢測。

相控陣超聲檢測方案

對材料為A790-S31803的管線環(huán)焊縫進行相控陣檢測時，可采用分區(qū)設(shè)置，分區(qū)檢測具有以下優(yōu)勢：

(1) 針對不同檢測位置，設(shè)置不同的聚焦法則，以獲得良好的檢測能力，針對上、下表面的檢測采用深度聚焦，而對焊縫內(nèi)部檢測采用聲程聚焦。

(2) 在實際檢測過程中，偏轉(zhuǎn)角度越大，較深反射體的調(diào)節(jié)越困難。分區(qū)檢測時應(yīng)對較深部位采用較小角度進行檢測，以避免大偏轉(zhuǎn)角度調(diào)節(jié)較深反射體的難度。

對于不同分區(qū)的設(shè)置，TCG校準不同位置人工反射體信號及反射體測量位置如圖6所示。

圖6 不同位置人工反射體信號及反射體測量位置

檢測結(jié)果

為了驗證檢測效果，對圖3所示的人工缺陷試管，分別采用常規(guī)超聲縱波斜入射檢測、射線檢測、相控陣超聲檢測3種方法實施檢測。在相控陣超聲檢測時，實施兩種檢測方案，一種是在焊縫兩側(cè)掃查，模擬單面雙側(cè)檢測；另一種是為了驗證單面單側(cè)檢測效果，實施單側(cè)直管側(cè)掃查+焊縫中心兩個方向的掃查。

上表面刻槽檢測結(jié)果

1號人工缺陷為垂直于工件的上表面刻槽；2號人工缺陷為平行于坡口面的上表面刻槽，傾斜角度為15°±2°，兩種人工缺陷模擬的都是焊縫上表面裂紋，其檢測結(jié)果如下：

(1) 常規(guī)超聲縱波斜探頭檢測，沒有發(fā)現(xiàn)任何信號。

(2) 射線檢測可以清晰發(fā)現(xiàn)缺陷，其結(jié)果如圖7所示。

圖7 1號和2號缺陷的射線檢測結(jié)果

(3) 相控陣超聲技術(shù)檢測，在焊縫兩側(cè)掃查時，由于焊縫蓋帽寬度為38~40mm，A27+DNCR相控陣超聲設(shè)備組合對上表面深度的檢測能力約為19mm，因此只能發(fā)現(xiàn)探頭側(cè)缺陷，不能發(fā)現(xiàn)探頭對側(cè)焊縫的上表面刻槽缺陷，1號缺陷顯示波幅約為95%，而2號缺陷顯示波幅約為60%，2號缺陷上表面刻槽波幅降低主要是因為該刻槽是平行坡口面，焊縫兩側(cè)掃查結(jié)果如圖8所示。

圖8 焊縫兩側(cè)掃查結(jié)果（上表面刻槽）

把焊縫蓋帽磨平后，在焊縫中心采用A27+DNCR設(shè)備組合掃查時，可以發(fā)現(xiàn)焊縫邊緣刻槽信號，1號刻槽波幅高度約為40%，2號刻槽波幅高度約為25%，其結(jié)果如圖9所示。因此在焊縫中心檢測時，需要仔細辨別超過20%波幅的上表面信號，必要時需要輔助表面檢測方法加以驗證。

圖9 焊縫中心掃查結(jié)果(上表面刻槽)

坡口未熔合檢測結(jié)果

3號和5號人工缺陷分別位于焊縫兩側(cè)坡口熔合線處，且為上、下兩個不同區(qū)域，檢測結(jié)果如下：

(1) 采用常規(guī)超聲縱波斜探頭檢測，在焊縫蓋帽沒有磨平時，臨近上表面的3號缺陷無法檢出；用45°縱波和60°縱波斜探頭均可在焊縫兩側(cè)檢出位于焊縫中下部位的5號缺陷，45°縱波斜探頭檢測的最高波幅為SL+0.5dB，60°縱波斜探頭檢測的最高波幅為SL+6.3dB。將焊縫余高磨平后，使用縱波45°斜探頭騎在焊縫上掃查時，可以在其對側(cè)發(fā)現(xiàn)3號缺陷，波幅為SL+3.2dB，檢測結(jié)果如圖10所示。

圖10 3號和5號缺陷常規(guī)超聲檢測結(jié)果

(2) 采用射線檢測可以發(fā)現(xiàn)兩個缺陷，其結(jié)果如圖11所示。

圖11 3號和5號缺陷射線檢測結(jié)果

(3) 相控陣超聲采用A27+DNCR設(shè)備組合進行檢測，3號人工缺陷位于坡口熔合線靠近上表面的位置，因此探頭位于缺陷對側(cè)檢測時波幅高，而在缺陷側(cè)檢測時波幅低，這是由于相控陣大角度偏轉(zhuǎn)角在缺陷對側(cè)檢測時，缺陷與大角度波束接近垂直，而在缺陷側(cè)檢測時，波束入射與缺陷有較大的傾角，因此3號人工缺陷對側(cè)波幅為156%，而缺陷側(cè)波幅為40%；5號人工缺陷位于坡口熔合線靠近焊縫根部的位置，在焊縫兩側(cè)掃查均可得到滿意的檢測結(jié)果，缺陷側(cè)波幅高度為88%，對側(cè)波幅高度為249%，檢測結(jié)果如圖12所示。

圖12 A27+DNCR組合的缺陷檢測結(jié)果

為了驗證單側(cè)檢測結(jié)果，焊縫余高磨平后，在焊縫中心用A27+DNCR設(shè)備組合檢測后發(fā)現(xiàn)，3號人工缺陷波幅為250%，5號人工缺陷波幅為94%，此次檢測波幅高度均高于人工缺陷側(cè)的波幅，且檢測信號的位置也處于坡口融合線的位置，更容易對缺陷定性，如圖12所示。

針對焊縫中下部5號人工缺陷的檢測效果，也采用A26+DN55L-FD40-SS組合，使用與A27+DNCR組合相同的聚焦法則在焊縫兩側(cè)檢測，檢測結(jié)果表明，5號人工缺陷對側(cè)波幅為250%，5號人工缺陷側(cè)波幅為94%，波幅均高于A27+DNCR組合的檢測效果。A26+DN55L-FD40-SS設(shè)備組合的檢測結(jié)果如圖13所示。

圖13 A26+DN55L-FD40-SS組合的缺陷檢測結(jié)果

焊縫中夾渣物檢測結(jié)果

4號人工缺陷為內(nèi)部夾渣，位于焊縫中心位置，其檢測結(jié)果如下：

(1) 常規(guī)超聲縱波斜探頭檢測，只有采用60°縱波探頭檢測時能夠發(fā)現(xiàn)，在焊縫一側(cè)采用60°縱波進行檢測，缺陷波幅高度為SL-10.4dB，而在另一側(cè)無法檢出，檢測結(jié)果如圖14所示。

圖14 4號缺陷常規(guī)超聲波檢測結(jié)果

(2) 4號缺陷射線檢測結(jié)果如圖15所示。

圖15 4號缺陷射線檢測結(jié)果

(3) 相控陣超聲檢測，4號人工缺陷預(yù)埋藏深度約為20mm。A27+DNCR在兩側(cè)均能發(fā)現(xiàn)該缺陷，其最高波幅為41%，另一側(cè)波幅為27%，這是由于缺陷傾角會導(dǎo)致波幅低，如圖16所示。

圖16 4號缺陷的A27+DNCR檢測結(jié)果

而使用A26+DN55L-FD40-SS設(shè)備組合檢測后發(fā)現(xiàn)，缺陷最高波幅為30%，結(jié)果如圖17所示。比較兩種規(guī)格探頭的檢測結(jié)果可知，A27+DNCR設(shè)備組合檢測波幅高度略高，因此A26探頭在該區(qū)域的檢測能力低于A27探頭。

圖17 4號缺陷的A26+DN55L-FD40-SS檢測結(jié)果

根部刻槽檢測結(jié)果

6號人工缺陷為根部刻槽，其檢測結(jié)果如下：

(1) 常規(guī)超聲縱波斜探頭檢測，采用縱波45°斜探頭在焊縫兩側(cè)均能發(fā)現(xiàn)該缺陷，表現(xiàn)為一個刻槽和根部融合在一起的脈沖寬度較寬的反射信號，焊縫兩側(cè)的檢測波幅分別為SL-3.2dB和SL+1.8dB，檢測結(jié)果如圖18所示。

圖18 6號缺陷常規(guī)超聲波檢測結(jié)果

(2) 6號缺陷射線檢測結(jié)果如圖19所示。

圖19 6號缺陷射線檢測結(jié)果

(3) 相控陣超聲檢測，A27+DNCR組合在焊縫兩側(cè)均能發(fā)現(xiàn)該缺陷，且有較好的顯示效果，檢測波幅分別為55%和91%，其結(jié)果如圖20所示。

圖20 6號缺陷的A27+DNCR檢測結(jié)果

A26+DN55L-FD40-SS組合也能區(qū)分根部刻槽和余高反射體信號，檢測波幅為61%和185%，其結(jié)果如圖21所示。

圖21 6號缺陷的A26+DN55L-FD40-SS檢測結(jié)果

檢測結(jié)果分析

(1) 綜合比較A27+DNCR組合和A26+DN55L-FD40-SS組合的檢測效果，矩陣探頭A27+DNCR組合主要針對厚度小于30mm部位的檢測，且可在大偏轉(zhuǎn)角時產(chǎn)生爬波以檢測表面缺陷；而線性探頭A26+DN55L-FD40-SS組合主要針對厚度大于30mm部位的檢測，檢測焊縫根部缺陷時有較高的信噪比和分辨力。

(2) 現(xiàn)場對接形式主要為直管與直管對接或直管與部件（法蘭、三通或彎頭）對接。當(dāng)直管與部件對接時，若部件側(cè)滿足探頭掃查空間要求，則可采用直管與直管對接的檢測工藝進行單面雙側(cè)檢測，檢測現(xiàn)場如圖22所示。

圖22 直管與構(gòu)件對接檢測現(xiàn)場

(3) 當(dāng)直管與部件對接，部件側(cè)部分位置不滿足掃查空間的要求，檢測現(xiàn)場如圖23所示。此時除了在直管側(cè)掃查外，還應(yīng)把此位置的焊縫余高磨平，在焊縫中心做正反兩次掃查。在對檢測圖譜進行分析時，以直管側(cè)掃查為主；對焊縫中心掃查時發(fā)現(xiàn)的可疑位置，需要補充其他方法對表面進行檢測，比如增加陣列渦流或其他表面檢測方案；對剩余滿足掃查空間要求的位置，則同樣執(zhí)行單面雙側(cè)檢測。

圖23 直管與部件對接焊縫檢測現(xiàn)場(掃查受限)

結(jié)語

采用相控陣超聲技術(shù)對材料為A790-S31803，規(guī)格為ф610mm×46mm的管線環(huán)焊縫進行檢測，檢測結(jié)果表明其具有以下優(yōu)勢：

(1) 相控陣超聲具有良好的缺陷檢測能力，缺陷顯示直觀、重復(fù)性好，且能夠較準確提供缺陷的長度、深度和高度等信息。

(2) 完成ф610mm×46mm管線對接環(huán)焊縫的檢測用時約30分鐘，射線檢測則需要約792分鐘（以剛出廠Ir192，能量為100Ci，采用雙壁單影透照測算），相比之下，相控陣超聲檢測提高了檢測效率。

(3) 相控陣超聲檢測不產(chǎn)生輻射，不妨礙其他工種的現(xiàn)場施工，提高了生產(chǎn)效率。