北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司

KDB-2B型 金屬薄膜方塊電阻測(cè)試儀

時(shí)間:2015-10-22閱讀:734
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KDB-2B為四探針法測(cè)量金屬薄膜的方塊電阻,該方法操作簡(jiǎn)單,測(cè)量。 
儀器特點(diǎn)如下: 
1、配有雙數(shù)字表:一塊數(shù)字表在測(cè)量顯示硅片電阻率的同時(shí),另一塊數(shù)字表(以萬分之幾的精度)適時(shí)監(jiān)測(cè)全過程中的電流變化,使操作更簡(jiǎn)便,測(cè)量更。 
數(shù)字電壓表量程:0—19.999mV  靈敏度:1μV  輸入阻抗:1000ΜΩ 
 基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿度) ; 
2、方塊電阻測(cè)量范圍:1×10-5~1.9Ω/□; 
3、電流量程分兩檔:100mA和1000mA。 

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