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食品重金屬檢測(cè)儀ZJ05

參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)ZJ05

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地北京市

更新時(shí)間:2024-09-11 15:53:21瀏覽次數(shù):1647次

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產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 石油
食品重金屬檢測(cè)儀ZJ05采用電化學(xué)方法,使用無汞電,安全環(huán)保。 主要針對(duì)食品、水質(zhì)、土壤、水產(chǎn)品等物質(zhì)中重金屬含量進(jìn)行檢測(cè),操作簡(jiǎn)單,便于在現(xiàn)場(chǎng)快速準(zhǔn)確的進(jìn)行檢測(cè)。集重金屬鉛、鎘、六價(jià)鉻、汞、砷等多種檢測(cè)項(xiàng)目為一體,可以滿足多項(xiàng)重金屬分析的需要

食品重金屬檢測(cè)儀ZJ05

說明
重金屬檢測(cè)儀采用電化學(xué)方法,使用無汞電,安全環(huán)保。 主要針對(duì)食品、水質(zhì)、土壤、水產(chǎn)品等物質(zhì)中重金屬含量進(jìn)行檢測(cè),操作簡(jiǎn)單,便于在現(xiàn)場(chǎng)快速準(zhǔn)確的進(jìn)行檢測(cè)。集重金屬鉛、鎘、六價(jià)鉻、汞、砷等多種檢測(cè)項(xiàng)目為一體,可以滿足多項(xiàng)重金屬分析的需要。此檢測(cè)儀器既可用于現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè),也可用于實(shí)驗(yàn)室檢測(cè),開機(jī)成本低,耗材用量少,操作工作量小,使用方便且成本低。

食品重金屬檢測(cè)儀ZJ05
一、儀器特點(diǎn):
1.基于溶出伏安法,抗干擾能力強(qiáng),靈敏度高,檢測(cè)限低至ppb級(jí)(μg/L);
2.工作電采用長(zhǎng)壽命無汞電,安全環(huán)保;
3.樣品前處理安全、簡(jiǎn)便,可以一次處理測(cè)試鉛、鎘、鉻、汞、砷等多種金屬;
4.快速檢測(cè),檢測(cè)時(shí)間只需幾十秒,檢測(cè)前準(zhǔn)備時(shí)間只需幾分鐘;
5.高清觸摸屏幕,操作簡(jiǎn)便,無需掌握電化學(xué)專業(yè)知識(shí);
6.測(cè)試過程自動(dòng)化,支架自動(dòng)升降,測(cè)試管旋轉(zhuǎn)速度自動(dòng)調(diào)節(jié);
7.智能化程度高,數(shù)據(jù)可自動(dòng)處理、顯示、存儲(chǔ)、打??;
8.使用成本低,開機(jī)成本低,耗材用量少;
9.使用方便,既可用于現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè),也可用于實(shí)驗(yàn)室檢測(cè);
10.可與計(jì)算機(jī)連接使用,配備軟件控制檢測(cè)過程。

二、技術(shù)參數(shù):
1.系統(tǒng)分辨精度:電流零點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電位對(duì)值不大于2mV;
                             起點(diǎn)電位與初始電位設(shè)定值相對(duì)偏差的對(duì)值應(yīng)不大于2%;
                             終點(diǎn)電位與終止電位設(shè)定值相對(duì)偏差的對(duì)值應(yīng)不大于2%;
2.zui小可測(cè)濃度:0.5 ppb (μg/L);
3.重復(fù)性:RSD≤10%;
4.線性:線性相關(guān)系數(shù)r≥0.995;
5.外形尺寸:400 mm×270 mm×420 mm;
6.凈重:14.0 ㎏

產(chǎn)品名稱:數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 少子壽命測(cè)試儀
產(chǎn)品型號(hào): LT-100C

數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 少子壽命測(cè)試儀 型號(hào): LT-100C 
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測(cè)量,特按照國(guó)標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測(cè)試儀。                                                        
      該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年,積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn),經(jīng)過數(shù)次全國(guó)十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn),證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量;也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量,給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面,制樣簡(jiǎn)便。 

 LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀有以下特點(diǎn): 
1、 可測(cè)量太陽能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光,直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命。 
2、  可測(cè)量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命,表面無需拋光、鈍化。 
3、配備軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。 
4、配置兩種波長(zhǎng)的紅外光源: 
a、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。 
b、短波長(zhǎng)紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強(qiáng)較強(qiáng),有利于測(cè)量低阻太陽能級(jí)硅晶體。 
5、測(cè)量范圍寬廣 
測(cè)試儀可直接測(cè)量: 
a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對(duì)壽命。 
b、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。 
壽命可測(cè)范圍     0.25μS—10ms     

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