美國SVT激光分子束外延設備/LMBE/Laser MBE

產(chǎn)品簡介

Laser MBE具備PLD和傳統(tǒng)MBE的特點，對薄膜的生長速率進行精確（原子層級別）控制。設備特點是在MBE系統(tǒng)上增加激光燒蝕工藝，系統(tǒng)可以生長包括高熔點陶瓷以及多元素固體材料等各種材料。SVT有20年的MBE設備制造經(jīng)驗，我們擅于通過在線監(jiān)控薄膜生長來提高薄膜質(zhì)量。所采用的在線監(jiān)控儀器包括：溫度測量儀、厚度測量儀、RHEED、束流監(jiān)控儀等。如果您想了解更多這方面的信息，請。

應用

氧化物半導體、高溫超導材料、光學晶體材料、電光學薄膜、鐵電以及鐵磁材料等

標準性能

● 超高真空（本底壓強<1E-10 Torr）

● 集成多種類型源，包括：

- RF等離子體源

- 熱蒸發(fā)源

- 電子束蒸發(fā)源

- 臭氧傳送系統(tǒng)

● 先進的在線監(jiān)控儀（可選）

- 原子吸收束流監(jiān)控儀

- RHEED

- 溫度以及厚度測量儀

● 6個可旋轉(zhuǎn)PLD靶

● 高功率準分子激光器

● 提供合適的泵抽組合

● 多種腔室配置以滿足您的需求

● 培訓以及服務支持

技術參數(shù)

Nitride Systems
Oxide Systems
Silicon Systems
Metal Organic Systems
Generic III-V and II-VI Systems
Compact MBE System (pdf brochure)
Dual Chamber MBE System (pdf brochure)