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中級(jí)會(huì)員 | 第4年

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  • 二硫化鎢/二硒化鎢 WS2/WSe2異質(zhì)結(jié)

    兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié),低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料,具體請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服或聯(lián)系我們

    型號(hào): 所在地:泰州市參考價(jià): ¥7200更新時(shí)間:2024/6/3 21:54:54 對(duì)比
    異質(zhì)結(jié)
  • 二硫化鉬/二硒化鎢 MoS2/WSe2異質(zhì)結(jié)

    兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié),低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料,具體請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服或聯(lián)系我們

    型號(hào): 所在地:泰州市參考價(jià): ¥7200更新時(shí)間:2024/6/3 21:53:08 對(duì)比
    異質(zhì)結(jié)
  • 硅基的CVD石墨烯與氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)

    CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si waferPropert...

    型號(hào): 所在地:泰州市參考價(jià): ¥4394更新時(shí)間:2024/6/3 21:50:44 對(duì)比
    氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)
  • 二維異質(zhì)結(jié)材料(進(jìn)口)

    二維異質(zhì)結(jié)材料(進(jìn)口)Substrate:Sapphire (c-cut)Quartz (Silica)TEM grids (please supply gri...

    型號(hào): 所在地:泰州市參考價(jià): ¥8900更新時(shí)間:2024/6/3 21:49:06 對(duì)比
    二維異質(zhì)結(jié)材料低維材料
  • SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)

    SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì):?jiǎn)螌觝-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到285nm(p摻雜)SiO2/Si晶片上尺寸...

    型號(hào): 所在地:泰州市參考價(jià): ¥7140.25更新時(shí)間:2024/6/3 21:47:34 對(duì)比
    異質(zhì)結(jié)
  • CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質(zhì)結(jié)

    CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質(zhì)結(jié)石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì):?jiǎn)螌觝-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到285nm(p摻雜)SiO2/Si晶片上尺寸:1cmx1c...

    型號(hào): 所在地:泰州市參考價(jià): ¥4394更新時(shí)間:2024/6/3 10:11:24 對(duì)比
    基于SiO2/Si晶片異質(zhì)結(jié)

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