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當(dāng)前位置:深圳維爾克斯光電有限公司>>光學(xué)鏡片及配件>>探測(cè)器>> IS-0.25,IS-0.5,IS-1.0Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)IS-0.25,IS-0.5,IS-1.0

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

更新時(shí)間:2024-09-27 17:53:42瀏覽次數(shù):316次

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供貨周期 一個(gè)月 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
InSb/HgCdTe探測(cè)器可用于熱成像和輻射測(cè)量等應(yīng)用,Infrared探測(cè)器中還有一款用于商業(yè)和軍事應(yīng)用的銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測(cè)器,是理想的選擇。Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

波長范圍1μm-5.5μm,InSb/HgCdTe,銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

美國InfraRed Associates公司為熱成像、科研以及光譜學(xué)等應(yīng)用提供銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器和銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測(cè)(InSb/HgCdTe 2-color),這些Infrared探測(cè)器各有各的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn),以下簡(jiǎn)單介紹這幾款Infrared銻化銦/碲鎘汞MCT探測(cè)器。Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

1InSb/HgCdTe探測(cè)器圖示

 

光伏銻化銦探測(cè)器(InSb Detectors)

InfraRed Associates提供的光伏銻化銦探測(cè)器是利用單晶材料通過介子技術(shù)形成p-n結(jié),這種工藝可生產(chǎn)出較高質(zhì)量的光電二極管,并且在1μm5.5μm波長區(qū)域表現(xiàn)出的電光性能。這些二極管是背景限制(BLIP)的探測(cè)器,其性能可通過空間(冷卻FOV stops)或光譜(冷卻干擾濾波器)減少背景來提高。

Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

2D*值曲線圖

光電效應(yīng)是指當(dāng)適當(dāng)波長的輻射入射到p-n結(jié)時(shí),p-n結(jié)上會(huì)產(chǎn)生電勢(shì)。當(dāng)光子通量照射到交界時(shí),如果光子能量超過禁帶間隙能量,就會(huì)形成電子-空穴對(duì)。


磁場(chǎng)將電子從p區(qū)掃向n區(qū),將空穴從n區(qū)掃向p區(qū)。這一過程使p區(qū)為正,n區(qū)為負(fù),并在外部電路中產(chǎn)生電流。InSb探測(cè)器的等效電路如下所示。該電路由信號(hào)和噪聲電流發(fā)生器與電阻和電容項(xiàng)并聯(lián)組成。

Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

3InSb探測(cè)器的等效電路圖


當(dāng)背景輻射通過在有源元件中產(chǎn)生恒定輸出而改變工作曲線時(shí),探測(cè)器應(yīng)反向偏置,使其回到最佳工作點(diǎn):零電壓。

這可以通過使用匹配的前置放大器來實(shí)現(xiàn),例如IAP-1000IS。探測(cè)器前置放大器系統(tǒng)在探測(cè)器噪聲受限模式下工作,需要雙路輸出電源。


光伏銻化銦探測(cè)器的應(yīng)用:

- 醫(yī)療熱成像

- 熱成像

- 光譜學(xué)

- 輻射測(cè)量

- 科研

- 紅外顯微鏡


光伏銻化銦探測(cè)器的規(guī)格參數(shù):

標(biāo)準(zhǔn)光伏銻化銦探測(cè)器規(guī)格表

Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

可根據(jù)客戶的規(guī)格要求定制配置和陣列。此外,還可提供定制的金屬和玻璃露臺(tái),以配合各種冷卻技術(shù),詳情請(qǐng)聯(lián)系我們。


碲鎘汞(MCT)探測(cè)器(Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe))

InfraRed Associate提供完整系列的光電導(dǎo)碲鎘汞 (HgCdTe) LN2  TE 冷卻探測(cè)器。通過調(diào)整這種三元化合物的合金成分,可以改變波長響應(yīng)。

操作這些光電導(dǎo)碲鎘汞探測(cè)器時(shí)需要偏置電壓,并確定最佳值以實(shí)現(xiàn)最高信噪比。InfraRed Associates的探測(cè)器在性能上通常受到背景噪聲的限制。

標(biāo)準(zhǔn)LN2冷卻和TE冷卻(LN2 cooled and TE cooledMCT探測(cè)器的響應(yīng)如下圖所示,圖中給出的是FOV60度下的D*值和響應(yīng)度。數(shù)值因元件尺寸和封裝而異,請(qǐng)參閱規(guī)格表,了解與探測(cè)器要求相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。

Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

4:標(biāo)準(zhǔn)LN2冷卻和TE冷卻(LN2 cooled and TE cooledMCT探測(cè)器的響應(yīng)圖

光電導(dǎo)碲鎘汞探測(cè)器的應(yīng)用:

- 醫(yī)學(xué)熱成像

- 熱成像

- 傅立葉變換紅外光譜儀

- 分析儀器

- 科研

- 污染監(jiān)測(cè)

銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測(cè)器(InSb/HgCdTe 2-color)

InfraRed Associates為商業(yè)和軍事應(yīng)用提供InSb/HgCdTe 雙色紅外探測(cè)器。這些探測(cè)器可對(duì)紅外光譜中不同但相鄰的區(qū)域做出響應(yīng),一個(gè)元件響應(yīng)短波長輻射,另一個(gè)元件響應(yīng)長波長輻射。

其中,結(jié)構(gòu)允許兩個(gè)元件位于同一焦點(diǎn)。 InSb/HgCdTe 雙色探測(cè)器的InSb元件對(duì)1µm5.5µm的輻射做出響應(yīng),HgCdTe元件對(duì)5.5µm12.5µm的輻射做出響應(yīng)。碲化鎘汞元件可進(jìn)行定制,以將其長波長響應(yīng)范圍擴(kuò)展到25mm以上??筛鶕?jù)客戶的規(guī)格要求進(jìn)行定制配置,了解詳情,請(qǐng)聯(lián)系我們。

Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器

5:響應(yīng)度曲線圖

銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測(cè)器的應(yīng)用:

- 輻射測(cè)量

- 熱成像

- 背景識(shí)別Background Discrimination

- 傅立葉變換紅外光譜

- 紅外顯微鏡

銻化銦/碲鎘汞雙色紅外探測(cè)器的規(guī)格參數(shù):

標(biāo)準(zhǔn)InSb/HgCdTe雙色紅外探測(cè)器規(guī)格表

Infrared Associates銻化銦/碲鎘汞探測(cè)器
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