RIE反應(yīng)離子刻蝕 返回列表頁(yè)

RIE反應(yīng)離子刻蝕采用模塊化設(shè)計(jì)，可滿(mǎn)足III/V半導(dǎo)體和Si加工工藝領(lǐng)域的的靈活應(yīng)用。 SENTECH SI 591可應(yīng)用于各種領(lǐng)域的蝕刻工藝中，能夠完成多種刻蝕加工。

RIE反應(yīng)離子刻蝕主要特點(diǎn):

高均勻性和優(yōu)重復(fù)性的蝕刻工藝

預(yù)真空鎖loadlock

電腦控制操作

SENTECH高級(jí)等離子設(shè)備操作軟件

數(shù)據(jù)資料記錄

穿墻式安裝方式

刻蝕終點(diǎn)探測(cè)

工藝靈活性

RIE蝕刻機(jī)SI 591 特別適用于氯基和氟基等離子蝕刻工藝，占地面積小且模塊化程度高，SI 591 可配置為單個(gè)反應(yīng)腔或作為片盒到片盒裝載的多腔設(shè)備。SENTECH控制軟件，我們的等離子蝕刻設(shè)備包括用功能強(qiáng)大的用戶(hù)友好軟件與模擬圖形用戶(hù)界面，參數(shù)窗口，工藝窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶(hù)管理。

預(yù)真空室和計(jì)算機(jī)控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優(yōu)異的工藝再現(xiàn)性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是SI 591的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。樣品直徑大可達(dá)200mm，通過(guò)載片器加載。SI 591可以配置為穿墻式操作或具有更多選項(xiàng)的小占地面積操作。位于頂部電極和反應(yīng)腔體的更大診斷窗口可以輕易地容納SENTECH激光干涉儀或OES和RGA系統(tǒng)。橢偏儀端口可用于SENTECH橢偏儀進(jìn)行原位監(jiān)測(cè)。

SI 591結(jié)合了計(jì)算機(jī)控制的RIE平行板電極設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)和預(yù)真空室系統(tǒng)。SI 591可配置用于各種材料的刻蝕。在SENTECH，我們提供不同級(jí)別的自動(dòng)化程度，從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室或多六個(gè)工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng)，目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 591也可用作多腔系統(tǒng)中的一個(gè)工藝模塊。

SI 591 compact

• 占地面積小的RIE等離子刻蝕

• 預(yù)真空室

• 鹵素和氟基氣體

• 適用于200mm的晶片

• 用于激光干涉儀和OES的診斷窗口

SI 591 cluster

• 可配置為至多6端口傳輸

• 結(jié)合RIE, ICP-RIE和PECVD腔體

• 手動(dòng)預(yù)真空室置片或片盒裝載

• 用于研發(fā)和高產(chǎn)量的多腔系統(tǒng)

• SENTECH控制軟件